продукты

Дом > продукты > Микрон ISSI Samsung > ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P

Категории

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1489)

Полупроводники на свободной шкале

(495)

Интегральная схемаа микросхемы

(1079)

Резисторы и конденсаторы

(3067)

Контакты

Контакты: Miss. Amy

Телефон: 86-180-3344-1064

Факс:

Контакт теперь

Перешлите нас

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P

Name: ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107 ИТ: P
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Детали продукта

Место происхождения: США

Фирменное наименование: Micron

Номер модели: MT41K256M16TW-107 ИТ: P

Условия оплаты & доставки

Количество мин заказа: 1

Цена: 0.98-5.68/PC

Упаковывая детали: Стандарты

Условия оплаты: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Поставка способности: 10000 штук в неделю

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Микрон ISSI Samsung Merrillchip, ДРАХМА 4GBIT микрона ISSI Samsung, 4GBIT mt41k256m16tw 107 оно p
                              

Категория продукции:	Микрон	Серия:	MT41K256M16TW-107 ИТ: P
Стил монтажа:	SMD/SMT	Пакет / чемодан:	TQFP-64
Ядро:	AVR	Размер памяти:	кб 16
Ширина шины:	8 бит	Разрешение ADC:	бит 10
Максимальная частота часов:	16 МГц	Количество вводов/выводов:	I/O 54
Размер RAM данных:	1 кб	Напряжение питания - мин:	1,8 v
Напряжение питания - Макс:	5,5 v	Минимальная рабочая температура:	- 40 градусов.
Максимальная рабочая температура:	+ 85 C	Опаковка:	MouseReel
бренд:	Микрон	Тип RAM данных:	SRAM
Размер ROM данных:	512 b

Категория продукции:	Микрон
Серия:	MT41K256M16TW-107 ИТ: P
Стил монтажа:	SMD/SMT
Пакет / чемодан:	TQFP-64
Ядро:	AVR
Размер памяти:	кб 16
Ширина шины:	8 бит
Разрешение ADC:	бит 10
Максимальная частота часов:	16 МГц
Количество вводов/выводов:	I/O 54
Размер RAM данных:	1 кб
Напряжение питания - мин:	1,8 v
Напряжение питания - Макс:	5,5 v
Минимальная рабочая температура:	- 40 градусов.
Максимальная рабочая температура:	+ 85 C
Опаковка:	MouseReel
бренд:	Микрон
Тип RAM данных:	SRAM
Размер ROM данных:	512 b

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P

Merrillchip Горячая продажа IC чипы IC DRAM 4GBIT PARALLEL Интегрированная схема Флэш-память EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 I ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 0

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 1

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 2

МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3

DDR3 SDRAM использует архитектуру двойной скорости передачи данных для достижения высокоскоростной работы.
Архитектура 8n-prefetch с интерфейсом, предназначенным для передачи двух слов данных в часовой цикл на пинах В/В.
Одна операция чтения или записи для DDR3 SDRAM фактически состоит из одной 8-n-битной передачи данных с четырехчасовым циклом.
на внутреннем ядре DRAM и восемь соответствующих n-битных шириной, один получасовой цикл передачи данных на пинах В/В.
дифференциальная данная строб (DQS, DQS#) передается внешне вместе с данными для использования в захвате данных на входе DDR3 SDRAM
DQS расположен в центре с данными для WRITE.

Производитель:	Технология микронов
Категория продукции:	DRAM
RoHS:	Подробная информация
Тип:	SDRAM - DDR3L
Стиль установки:	SMD/SMT
Пакет / чемодан:	FBGA-96
Ширина шины трассы данных:	16 бит
Организация:	256 м х 16
Размер памяти:	4 Гбит
Максимальная частота часов:	933 МГц
Время доступа:	20 нс
Напряжение питания - максимум:	1.45 В
Напряжение питания - Min:	1.283 В
Ток подачи - Макс:	46 мА
Минимальная рабочая температура:	- 40 градусов.
Максимальная рабочая температура:	+ 95 C
Серия:	МТ41К
Опаковка:	Поднос
Марка:	Микрон
Чувствительны к влаге:	Да, да.
Тип продукции:	DRAM
Производственная упаковка:	1224
Подкатегория:	Память и хранение данных
Единичная масса:	0.128468 унций

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 4

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 5

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 6

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 7

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 8

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P 9

Частые вопросы

Вопрос 1: Что касается котировки IC BOM?A1: Компания имеет каналы закупок оригинальных производителей интегральных схем в стране и за рубежом и профессиональную команду по анализу решений для выбора высококачественных,недорогие электронные компоненты для клиентов.
Q2:Котировка для PCB и PCBA решений? 
A2: Профессиональная команда компании проанализирует диапазон применения PCB и PCBA решений, предоставленных клиентом, и требования к параметрам каждого электронного компонента,и в конечном итоге предоставить клиентам высококачественные и недорогие решения для котировок.
Вопрос 3:О проекте чипа до готового продукта?
A3: У нас есть полный набор дизайна пластин, производства пластин, тестирования пластин, упаковки и интеграции IC, а также услуг по проверке продукции IC.
Q4: Есть ли у нашей компании минимальное количество заказов (MOQ)?
A4: Нет, у нас нет требования к MOQ, мы можем поддержать ваши проекты, начиная от прототипов до массового производства.
Вопрос 5:Как обеспечить, чтобы информация о клиентах не утекала? 
A5: Мы готовы подписать соглашение о неразглашении по местному законодательству и обещаем хранить данные клиентов на высоком уровне конфиденциальности.

Tags:

ОРИГИНАЛЬНЫЙ IC Мосфетовый транзистор 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 Аудиопар 2sa 1943 sc5200 5200 на складе Биполярные транзисторы

Получите самую лучшую цену

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале

Vishay IC

Электронные блоки Infineon

Интегральные схемаы IC

AOS IC

Электронные блоки Atmel

Обломок Altera

Xilinx IC

Микроконтроллер MCU

Микрон ISSI Samsung

Транзистор триода диода

UTC ICS ROHM

Интегральная схемаа микросхемы

Резисторы и конденсаторы

ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ДРАХМА 4GBIT MT41K256M16TW-107 ИТ микрона ISSI Samsung IC Merrillchip: P

Микрон ISSI Samsung Merrillchip

ДРАХМА 4GBIT микрона ISSI Samsung

4GBIT mt41k256m16tw 107 оно p

Частые вопросы

Микрон ISSI Samsung IS61C3216AL,

Ic интегрировал обломок VFBGA-63,

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале