DC22+
MOQ: 1 шт.
Пакет: стандартный
Диапазон функциональных чипов широк и охватывает многие различные области применения, такие как связь, обработка изображений, управление датчиками, обработка звука, управление энергией и многое другое.
Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: No Brand
Условия оплаты & доставки
Цена: $0.92/pieces >=1 pieces
Упаковывая детали: Антистатическая упаковка, стандартная упаковка
Поставка способности: 6010 штук/штук в неделю
Номер детали изготовителя: |
TLV76750DRVR |
тип: |
Диск IC |
Описание: |
интегральная схемаа |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
135 v |
Частота - переключение: |
108MHz |
Сила (ватты): |
1400W |
Операционная температура: |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение питания (мин.): |
50 v |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
240,4 дБ |
Напряжение тока - выход: |
Поднос |
Текущий объем производства/канал: |
80 uA |
Частота: |
40 мам |
Заявления: |
Над течением, над температурой, UVLO |
Тип FET: |
Включить |
Текущий объем производства (Макс): |
1,5 мА |
Питание током: |
BLF188 |
Напряжение - питание: |
16V |
Частота - максимум: |
70 дБ (120 Гц) |
Сила - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
Дискретные транзисторы продуктов полупроводника |
Напряжение - внутреннее: |
5В |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение тока - изоляция: |
- |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
1A |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
0.9В @ 1А |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
- |
Тип входного сигнала: |
- |
Тип выхода: |
Пушпульный, тотемный столб |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение тока - с государства: |
- |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
- |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
Частота LO: |
- |
Частота RF: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
(Низкий/максимум): |
- |
Спецификации: |
Лента и катушка (TR), резкая лента (CT), цифровой катушка |
Размер/размер: |
6-WDFN подвергло пусковая площадка действию |
Модуляция или протокол: |
- |
интерфейс: |
- |
Сила - выход: |
- |
Размер запоминающего устройства: |
- |
Протокол: |
Активный |
Модуляция: |
Положительно |
Последовательные интерфейсы: |
- |
GPIO: |
Установлено |
Использованные IC/часть: |
1 |
Стандарты: |
6-WSON (2x2) |
Стиль: |
Простой возврат/возврат включения питания |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (омы): |
- |
Перекрестная ссылка: |
- |
Порт: |
Шэньчжэнь, Китай/Гонконг |
Номер детали изготовителя: |
TLV76750DRVR |
тип: |
Диск IC |
Описание: |
интегральная схемаа |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
135 v |
Частота - переключение: |
108MHz |
Сила (ватты): |
1400W |
Операционная температура: |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение питания (мин.): |
50 v |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
240,4 дБ |
Напряжение тока - выход: |
Поднос |
Текущий объем производства/канал: |
80 uA |
Частота: |
40 мам |
Заявления: |
Над течением, над температурой, UVLO |
Тип FET: |
Включить |
Текущий объем производства (Макс): |
1,5 мА |
Питание током: |
BLF188 |
Напряжение - питание: |
16V |
Частота - максимум: |
70 дБ (120 Гц) |
Сила - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
Дискретные транзисторы продуктов полупроводника |
Напряжение - внутреннее: |
5В |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение тока - изоляция: |
- |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
1A |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
0.9В @ 1А |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
- |
Тип входного сигнала: |
- |
Тип выхода: |
Пушпульный, тотемный столб |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение тока - с государства: |
- |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
- |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
Частота LO: |
- |
Частота RF: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
(Низкий/максимум): |
- |
Спецификации: |
Лента и катушка (TR), резкая лента (CT), цифровой катушка |
Размер/размер: |
6-WDFN подвергло пусковая площадка действию |
Модуляция или протокол: |
- |
интерфейс: |
- |
Сила - выход: |
- |
Размер запоминающего устройства: |
- |
Протокол: |
Активный |
Модуляция: |
Положительно |
Последовательные интерфейсы: |
- |
GPIO: |
Установлено |
Использованные IC/часть: |
1 |
Стандарты: |
6-WSON (2x2) |
Стиль: |
Простой возврат/возврат включения питания |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (омы): |
- |
Перекрестная ссылка: |
- |
Порт: |
Шэньчжэнь, Китай/Гонконг |
У нас есть тип чипов | ||||||
Интегрированные схемы Электронные компоненты | Сравнительные интегральные устройства | Кодер-декодер | Космические интерфейсы | |||
Референтные интегральные узлы напряжения | Усилитель | Перезагрузить детектор IC | IC усилителя мощности | |||
Инфракрасный процессор IC | Чип интерфейса | Чип Bluetooth | Повышение и Buck чипсы | |||
Чипы временной базы | Часовые коммуникационные чипы | IC-передатчика | Беспроводный радиочастотный интерфейс | |||
Резистор чипа | Чип 2 для хранения | Чип Ethernet | Интегрированные схемы Электронные компоненты |