DC22+
MOQ: 1 шт.
Пакет: стандартный
Диапазон функциональных чипов широк и охватывает многие различные области применения, такие как связь, обработка изображений, управление датчиками, обработка звука, управление энергией и многое другое.
Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: ORIGINAL
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 5 частей
Цена: $50.00 - $70.00/pieces
Упаковывая детали: ESD/Vacuum/Foam/Cartons
Поставка способности: 10000 часть/частей в Неделя
Номер детали изготовителя: |
XC7A25T-2CSG325C |
тип: |
интегральная схемаа |
Описание: |
- |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
- |
Частота - переключение: |
- |
Сила (ватты): |
- |
Операционная температура: |
- 0 °C ~ 85 °C (TJ) |
Тип установки: |
-, Поверхностный держатель |
Напряжение питания (мин.): |
- |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
- |
Напряжение тока - выход: |
- |
Текущий объем производства/канал: |
- |
Частота: |
- |
Заявления: |
- |
Тип FET: |
- |
Текущий объем производства (Макс): |
- |
Питание током: |
- |
Напряжение - питание: |
- 0,95 ~ 1,05 В |
Частота - максимум: |
- |
Сила - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
- |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение тока - изоляция: |
- |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
- |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
- |
Тип входного сигнала: |
- |
Тип выхода: |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение тока - с государства: |
- |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
- |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
Частота LO: |
- |
Частота RF: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
(Низкий/максимум): |
- |
Спецификации: |
- |
Размер/размер: |
- |
Модуляция или протокол: |
- |
интерфейс: |
- |
Сила - выход: |
- |
Размер запоминающего устройства: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
GPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART |
GPIO: |
- |
Использованные IC/часть: |
ESP32-D0WD, ESP32-D0WD |
Стандарты: |
- |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (омы): |
- |
Перекрестная ссылка: |
- |
Номер части: |
XC7A25T-2CSG325C |
Состояние части: |
Активный |
Количество лабораторий/CLBs: |
1825 |
Количество элементов логики/клеток: |
23360 |
Полные биты RAM: |
1658880 |
Количество вводов/выводов: |
150 |
Пакет / чемодан: |
324-ББГА |
Порт: |
Шэньчжэнь/Гонконг |
Номер детали изготовителя: |
XC7A25T-2CSG325C |
тип: |
интегральная схемаа |
Описание: |
- |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
- |
Частота - переключение: |
- |
Сила (ватты): |
- |
Операционная температура: |
- 0 °C ~ 85 °C (TJ) |
Тип установки: |
-, Поверхностный держатель |
Напряжение питания (мин.): |
- |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
- |
Напряжение тока - выход: |
- |
Текущий объем производства/канал: |
- |
Частота: |
- |
Заявления: |
- |
Тип FET: |
- |
Текущий объем производства (Макс): |
- |
Питание током: |
- |
Напряжение - питание: |
- 0,95 ~ 1,05 В |
Частота - максимум: |
- |
Сила - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
- |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение тока - изоляция: |
- |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
- |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
- |
Тип входного сигнала: |
- |
Тип выхода: |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение тока - с государства: |
- |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
- |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
Частота LO: |
- |
Частота RF: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
(Низкий/максимум): |
- |
Спецификации: |
- |
Размер/размер: |
- |
Модуляция или протокол: |
- |
интерфейс: |
- |
Сила - выход: |
- |
Размер запоминающего устройства: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
GPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART |
GPIO: |
- |
Использованные IC/часть: |
ESP32-D0WD, ESP32-D0WD |
Стандарты: |
- |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (омы): |
- |
Перекрестная ссылка: |
- |
Номер части: |
XC7A25T-2CSG325C |
Состояние части: |
Активный |
Количество лабораторий/CLBs: |
1825 |
Количество элементов логики/клеток: |
23360 |
Полные биты RAM: |
1658880 |
Количество вводов/выводов: |
150 |
Пакет / чемодан: |
324-ББГА |
Порт: |
Шэньчжэнь/Гонконг |
У нас есть тип чипов | ||||||
Интегрированные схемы Электронные компоненты | Сравнительные интегральные устройства | Кодер-декодер | Космические интерфейсы | |||
Референтные интегральные узлы напряжения | Усилитель | Перезагрузить детектор IC | IC усилителя мощности | |||
Инфракрасный процессор IC | Чип интерфейса | Чип Bluetooth | Повышение и Buck чипсы | |||
Чипы временной базы | Часовые коммуникационные чипы | IC-передатчика | Беспроводный радиочастотный интерфейс | |||
Резистор чипа | Чип 2 для хранения | Чип Ethernet | Интегрированные схемы Электронные компоненты |