продукты

Дом > продукты > UTC ICS ROHM > Мосфет Ru6888 Контроллер электрического транспортного средства Мо Полевой эффект трубки Мосфет транзистор Ru6888r 68V 88A

Категории

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1489)

Полупроводники на свободной шкале

(495)

Интегральная схемаа микросхемы

(1079)

Резисторы и конденсаторы

(3067)

Контакты

Контакты: Miss. Amy

Телефон: 86-180-3344-1064

Факс:

Контакт теперь

Перешлите нас

Мосфет Ru6888 Контроллер электрического транспортного средства Мо Полевой эффект трубки Мосфет транзистор Ru6888r 68V 88A

Name: Мосфет Ru6888 Контроллер электрического транспортного средства Мо Полевой эффект трубки Мосфет транзистор Ru6888r 68V 88A
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: STW48N60DM2
Price: 4.22 USD
Availability: InStock

Детали продукта

Место происхождения: Гуандун, Китай

Фирменное наименование: original

Номер модели: STW48N60DM2

Условия оплаты & доставки

Количество мин заказа: 10 штук

Цена: $0.22/pieces >=10 pieces

Упаковывая детали: Противостатическая упаковка

Поставка способности: 10000 штук в день

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить:

Тип:	электронные компоненты, IGBT транзисторы	Операционная температура:	Стандарт
Серия:	Стандарт	Тип установки:	Стандарт
Описание:	транзистор igbt	D/C:	22+
Тип упаковки:	Стандартный	Приложение:	Стандарт
Тип поставщика:	прочие	Ссылки:	Стандарт
Доступные средства массовой информации:	прочие	Бренд:	Транзистор
Ток - коллектор (Ic) (макс.):	Стандарт	Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):	Стандарт
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:	Стандарт	Ток - предел коллектора (макс.):	Стандарт
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:	Стандартный	Мощность - Макс:	Стандарт
Частота - переходный период:	Стандарт	Пакет / чемодан:	Стандарт
Резистор - основа (R1):	Стандарт	Резистор - база излучателя (R2):	Стандарт
Тип FET:	Стандарт	Особенность FET:	Стандарт
Напряжение отхода к источнику (Vdss):	Стандарт	Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:	Стандарт
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Стандарт	Vgs(th) (Max) @ Id:	Стандартный
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:	Стандарт	Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:	Стандарт
Частота:	Стандарт	Регулируемый ток (ампер):	Стандарт
Число шума:	Стандарт	Мощность - выход:	Стандартный
Напряжение - номинальное:	Стандарт	Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):	Стандарт
Vgs (макс.):	Стандарт	Тип IGBT:	Стандарт
Конфигурация:	Стандартный	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	Стандарт
Вводная емкость (Cies) @ Vce:	Стандарт	Ввод:	Стандарт
Термистор NTC:	Стандарт	Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):	Стандарт
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Стандарт	Потребление тока (id) - Макс:	Стандарт
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:	Стандарт	Сопротивление - RDS (дальше):	Стандарт
Напряжение:	Стандартный	Напряжение - выход:	Стандарт
Напряжение тока - смещение (Vt):	Стандарт	Настоящий - ворота к утечке анода (Igao):	Стандарт
Настоящий - долина (iv):	Стандарт	Настоящий - пик:	Стандарт
Заявления:	Стандарт	Тип транзистора:	Транзистор мощности mrf150 rf
Порт:	Шэньчжэнь

Тип:	электронные компоненты, IGBT транзисторы
Операционная температура:	Стандарт
Серия:	Стандарт
Тип установки:	Стандарт
Описание:	транзистор igbt
D/C:	22+
Тип упаковки:	Стандартный
Приложение:	Стандарт
Тип поставщика:	прочие
Ссылки:	Стандарт
Доступные средства массовой информации:	прочие
Бренд:	Транзистор
Ток - коллектор (Ic) (макс.):	Стандарт
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):	Стандарт
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:	Стандарт
Ток - предел коллектора (макс.):	Стандарт
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:	Стандартный
Мощность - Макс:	Стандарт
Частота - переходный период:	Стандарт
Пакет / чемодан:	Стандарт
Резистор - основа (R1):	Стандарт
Резистор - база излучателя (R2):	Стандарт
Тип FET:	Стандарт
Особенность FET:	Стандарт
Напряжение отхода к источнику (Vdss):	Стандарт
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:	Стандарт
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Стандарт
Vgs(th) (Max) @ Id:	Стандартный
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:	Стандарт
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:	Стандарт
Частота:	Стандарт
Регулируемый ток (ампер):	Стандарт
Число шума:	Стандарт
Мощность - выход:	Стандартный
Напряжение - номинальное:	Стандарт
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше):	Стандарт
Vgs (макс.):	Стандарт
Тип IGBT:	Стандарт
Конфигурация:	Стандартный
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	Стандарт
Вводная емкость (Cies) @ Vce:	Стандарт
Ввод:	Стандарт
Термистор NTC:	Стандарт
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):	Стандарт
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Стандарт
Потребление тока (id) - Макс:	Стандарт
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:	Стандарт
Сопротивление - RDS (дальше):	Стандарт
Напряжение:	Стандартный
Напряжение - выход:	Стандарт
Напряжение тока - смещение (Vt):	Стандарт
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao):	Стандарт
Настоящий - долина (iv):	Стандарт
Настоящий - пик:	Стандарт
Заявления:	Стандарт
Тип транзистора:	Транзистор мощности mrf150 rf
Порт:	Шэньчжэнь

Мосфет Ru6888 Контроллер электрического транспортного средства Мо Полевой эффект трубки Мосфет транзистор Ru6888r 68V 88A

Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Добро пожаловать в нашу компанию! Мы являемся вашим универсальным поставщиком электронных компонентов ((BOM). Наш опыт заключается в предоставлении широкого спектра электронных компонентов для удовлетворения ваших разнообразных требований.Мы предлагаем:- Полупроводники: микроконтроллеры, транзисторы, диоды, интегральные схемы (ИК) - Пассивные компоненты: резисторы, конденсаторы, индукторы, соединители - Электромеханические компоненты: коммутаторы,реле, сенсорные приводы - источники питания: регуляторы напряжения, преобразователи мощности, управление батареями - оптоэлектроника: светодиоды, лазеры, фотодиоды, оптические датчики - радиочастотные и беспроводные компоненты: радиочастотные модули,Антенны, беспроводная связь - датчики: датчики температуры, датчики движения, датчики окружающей среды.

Тип: интегральные схемы Электронные компоненты

DC22+

MOQ: 1 шт.

Пакет: стандартный

Диапазон функциональных чипов широк и охватывает многие различные области применения, такие как связь, обработка изображений, управление датчиками, обработка звука, управление энергией и многое другое.

У нас есть тип чипов
Интегрированные схемы Электронные компоненты	Сравнительные интегральные устройства	Кодер-декодер	Космические интерфейсы
Референтные интегральные узлы напряжения	Усилитель	Перезагрузить детектор IC	IC усилителя мощности
Инфракрасный процессор IC	Чип интерфейса	Чип Bluetooth	Повышение и Buck чипсы
Чипы временной базы	Часовые коммуникационные чипы	IC-передатчика	Беспроводный радиочастотный интерфейс
Резистор чипа	Чип 2 для хранения	Чип Ethernet	Интегрированные схемы Электронные компоненты

Tags:

Компоненты ИС с светодиодным драйвером SPD2-E9CD-XXXWW-LED1100 Единый электронный компонент Bom List Kitting Service Ic Connectors Matching

Получите самую лучшую цену

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале

Vishay IC

Электронные блоки Infineon

Интегральные схемаы IC

AOS IC

Электронные блоки Atmel

Обломок Altera

Xilinx IC

Микроконтроллер MCU

Микрон ISSI Samsung

Транзистор триода диода

UTC ICS ROHM

Интегральная схемаа микросхемы

Резисторы и конденсаторы

Мосфет Ru6888 Контроллер электрического транспортного средства Мо Полевой эффект трубки Мосфет транзистор Ru6888r 68V 88A

Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Двухполярный UTC ICS транзистора ROHM,

Транзистор UTC ICS ROHM двухполярный,

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале