Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: original
Номер модели: BT2 - - - - - - - - - -
Условия оплаты & доставки
Цена: $2.68/pieces 1-99 pieces
Упаковывая детали: Противостатическая упаковка
Поставка способности: 1000 часть/частей в Месяц
тип: |
Триодный транзистор, IGBT транзистор |
Операционная температура: |
Стандартный |
Серия: |
Стандартный |
Тип установки: |
Стандартный |
Описание: |
транзистор igbt |
D/C: |
22+ |
Тип упаковки: |
Повсеместно в отверстие |
Применение: |
Стандартный |
Тип поставщика: |
Прочие |
Перекрестная ссылка: |
Стандартный |
Средства массовой информации доступные: |
Прочие |
Бренд: |
Транзистор |
Настоящий - сборник (Ic) (Макс): |
Стандартный |
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): |
Стандартный |
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: |
Стандартный |
Настоящий - выключение сборника (Макс): |
Стандартный |
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: |
Стандартный |
Сила - Макс: |
Стандартный |
Частота - переход: |
Стандартный |
Пакет / чемодан: |
Стандартный |
Резистор - основание (R1): |
Стандартный |
Резистор - основание излучателя (R2): |
Стандартный |
Тип FET: |
Стандартный |
Особенность FET: |
Стандартный |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): |
Стандартный |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: |
Стандартный |
Rds на (Макс) @ id, Vgs: |
Стандартный |
Id Vgs (th) (Макс) @: |
Стандартный |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: |
Стандартный |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: |
Стандартный |
Частота: |
Стандартный |
Настоящая оценка (Amps): |
Стандартный |
Диаграмма шума: |
Стандартный |
Сила - выход: |
Стандартный |
Расклассифицированное напряжение тока -: |
Стандартный |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): |
Стандартный |
Vgs (Макс): |
Стандартный |
Тип IGBT: |
Стандартный |
Конфигурация: |
Стандартный |
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: |
Стандартный |
Входная емкость (Cies) @ Vce: |
Стандартный |
Ввод: |
Стандартный |
Термистор NTC: |
Стандартный |
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): |
Стандартный |
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Стандартный |
Потребление тока (id) - Макс: |
Стандартный |
Напряжение тока - id выключения (VGS) @: |
Стандартный |
Сопротивление - RDS (дальше): |
Стандартный |
Напряжение: |
Стандартный |
Напряжение тока - выход: |
Стандартный |
Напряжение тока - смещение (Vt): |
Стандартный |
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao): |
Стандартный |
Настоящий - долина (iv): |
Стандартный |
Настоящий - пик: |
Стандартный |
Заявления: |
Стандартный |
Тип транзистора: |
Транзистор мощности mrf150 rf |
Порт: |
Шэньчжэнь |
тип: |
Триодный транзистор, IGBT транзистор |
Операционная температура: |
Стандартный |
Серия: |
Стандартный |
Тип установки: |
Стандартный |
Описание: |
транзистор igbt |
D/C: |
22+ |
Тип упаковки: |
Повсеместно в отверстие |
Применение: |
Стандартный |
Тип поставщика: |
Прочие |
Перекрестная ссылка: |
Стандартный |
Средства массовой информации доступные: |
Прочие |
Бренд: |
Транзистор |
Настоящий - сборник (Ic) (Макс): |
Стандартный |
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): |
Стандартный |
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: |
Стандартный |
Настоящий - выключение сборника (Макс): |
Стандартный |
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: |
Стандартный |
Сила - Макс: |
Стандартный |
Частота - переход: |
Стандартный |
Пакет / чемодан: |
Стандартный |
Резистор - основание (R1): |
Стандартный |
Резистор - основание излучателя (R2): |
Стандартный |
Тип FET: |
Стандартный |
Особенность FET: |
Стандартный |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): |
Стандартный |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: |
Стандартный |
Rds на (Макс) @ id, Vgs: |
Стандартный |
Id Vgs (th) (Макс) @: |
Стандартный |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: |
Стандартный |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: |
Стандартный |
Частота: |
Стандартный |
Настоящая оценка (Amps): |
Стандартный |
Диаграмма шума: |
Стандартный |
Сила - выход: |
Стандартный |
Расклассифицированное напряжение тока -: |
Стандартный |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): |
Стандартный |
Vgs (Макс): |
Стандартный |
Тип IGBT: |
Стандартный |
Конфигурация: |
Стандартный |
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: |
Стандартный |
Входная емкость (Cies) @ Vce: |
Стандартный |
Ввод: |
Стандартный |
Термистор NTC: |
Стандартный |
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): |
Стандартный |
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Стандартный |
Потребление тока (id) - Макс: |
Стандартный |
Напряжение тока - id выключения (VGS) @: |
Стандартный |
Сопротивление - RDS (дальше): |
Стандартный |
Напряжение: |
Стандартный |
Напряжение тока - выход: |
Стандартный |
Напряжение тока - смещение (Vt): |
Стандартный |
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao): |
Стандартный |
Настоящий - долина (iv): |
Стандартный |
Настоящий - пик: |
Стандартный |
Заявления: |
Стандартный |
Тип транзистора: |
Транзистор мощности mrf150 rf |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Типы микросхем, которые у нас есть | ||||||
Интегральные схемы Электронные компоненты | ИС компаратора | Декодер-кодер | Сенсорные ИС | |||
ИС опорного напряжения | Усилитель | ИС детектора сброса | ИС усилителя мощности | |||
ИС инфракрасной обработки | Интерфейсная микросхема | Bluetooth-чип | Микросхемы повышения и понижения напряжения | |||
Микросхемы временной базы | Микросхемы синхронизации связи | Приемопередатчик ИС | Беспроводная РЧ ИС | |||
Чип-резистор | Микросхема памяти 2 | Ethernet-чип | Интегральные схемы Электронные компоненты | |||
