Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: original
Условия оплаты & доставки
Цена: $2.90 - $12.00/pieces
Упаковывая детали: Противостатическая упаковка
Поставка способности: 10000 часть/частей в Неделя
Номер детали изготовителя: |
SDIN7DP2-4G |
тип: |
Карта памяти |
Описание: |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
/ |
Частота - переключение: |
/ |
Сила (ватты): |
/ |
Операционная температура: |
/ |
Тип установки: |
/ |
Напряжение питания (мин.): |
/ |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
/ |
Напряжение тока - выход: |
/ |
Текущий объем производства/канал: |
/ |
Частота: |
/ |
Заявления: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Тип FET: |
/ |
Текущий объем производства (Макс): |
/ |
Питание током: |
/ |
Напряжение - питание: |
/ |
Частота - максимум: |
/ |
Сила - Макс: |
/ |
Толерантность: |
/ |
Функция: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Напряжение - внутреннее: |
/ |
Частота - выключение или центр: |
/ |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
/ |
Изолированная сила: |
/ |
Напряжение тока - изоляция: |
/ |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
/ |
Настоящий - пиковая мощность: |
/ |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
/ |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
/ |
Тип входного сигнала: |
/ |
Тип выхода: |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
/ |
Напряжение - выход (макс.): |
/ |
Напряжение тока - с государства: |
/ |
Статическое dV/dt (минута): |
/ |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
/ |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
/ |
Импеданс: |
/ |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
/ |
Частота LO: |
/ |
Частота RF: |
/ |
Ряд входного сигнала: |
/ |
Выходная мощность: |
// |
(Низкий/максимум): |
/ |
Спецификации: |
/ |
Размер/размер: |
/ |
Модуляция или протокол: |
/ |
интерфейс: |
/ |
Сила - выход: |
// |
Размер запоминающего устройства: |
/ |
Протокол: |
// |
Модуляция: |
/ |
Последовательные интерфейсы: |
/ |
GPIO: |
/ |
Использованные IC/часть: |
SDIN7DP2-4G (BGA153) или другой номер части |
Стандарты: |
/ |
Стиль: |
/ |
Тип памяти: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Writable память: |
/ |
Сопротивление (омы): |
/ |
Перекрестная ссылка: |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Номер детали изготовителя: |
SDIN7DP2-4G |
тип: |
Карта памяти |
Описание: |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
/ |
Частота - переключение: |
/ |
Сила (ватты): |
/ |
Операционная температура: |
/ |
Тип установки: |
/ |
Напряжение питания (мин.): |
/ |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
/ |
Напряжение тока - выход: |
/ |
Текущий объем производства/канал: |
/ |
Частота: |
/ |
Заявления: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Тип FET: |
/ |
Текущий объем производства (Макс): |
/ |
Питание током: |
/ |
Напряжение - питание: |
/ |
Частота - максимум: |
/ |
Сила - Макс: |
/ |
Толерантность: |
/ |
Функция: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Напряжение - внутреннее: |
/ |
Частота - выключение или центр: |
/ |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
/ |
Изолированная сила: |
/ |
Напряжение тока - изоляция: |
/ |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
/ |
Настоящий - пиковая мощность: |
/ |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
/ |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
/ |
Тип входного сигнала: |
/ |
Тип выхода: |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
/ |
Напряжение - выход (макс.): |
/ |
Напряжение тока - с государства: |
/ |
Статическое dV/dt (минута): |
/ |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
/ |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
/ |
Импеданс: |
/ |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
/ |
Частота LO: |
/ |
Частота RF: |
/ |
Ряд входного сигнала: |
/ |
Выходная мощность: |
// |
(Низкий/максимум): |
/ |
Спецификации: |
/ |
Размер/размер: |
/ |
Модуляция или протокол: |
/ |
интерфейс: |
/ |
Сила - выход: |
// |
Размер запоминающего устройства: |
/ |
Протокол: |
// |
Модуляция: |
/ |
Последовательные интерфейсы: |
/ |
GPIO: |
/ |
Использованные IC/часть: |
SDIN7DP2-4G (BGA153) или другой номер части |
Стандарты: |
/ |
Стиль: |
/ |
Тип памяти: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Writable память: |
/ |
Сопротивление (омы): |
/ |
Перекрестная ссылка: |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Типы микросхем, которые у нас есть | ||||||
Интегральные схемы Электронные компоненты | ИС компаратора | Декодер-кодер | Сенсорные ИС | |||
ИС опорного напряжения | Усилитель | ИС детектора сброса | ИС усилителя мощности | |||
ИС инфракрасной обработки | Интерфейсная микросхема | Bluetooth-чип | Микросхемы повышения и понижения напряжения | |||
Микросхемы временной базы | Микросхемы синхронизации связи | Приемопередатчик ИС | Беспроводная РЧ ИС | |||
Чип-резистор | Чип памяти 2 | Ethernet-чип | Интегральные схемы Электронные компоненты | |||
