продукты

Дом > продукты > UTC ICS ROHM > Nand Flash Emmc Emcp BGA Reball BGA153 BGA169 BGA254 Включается только для устройств, предназначенных для использования в процессе разработки.

Категории

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1486)

Полупроводники на свободной шкале

(492)

Интегральная схемаа микросхемы

(1076)

Резисторы и конденсаторы

(3067)

Контакты

Контакты: Miss. Amy

Телефон: 86-180-3344-1064

Факс:

Контакт теперь

Перешлите нас

Nand Flash Emmc Emcp BGA Reball BGA153 BGA169 BGA254 Включается только для устройств, предназначенных для использования в процессе разработки.

Детали продукта

Место происхождения: Гуандун, Китай

Фирменное наименование: original

Условия оплаты & доставки

Цена: $3.00 - $30.00/pieces

Упаковывая детали: Противостатическая упаковка

Поставка способности: 10000 часть/частей в Неделя

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить:

Номер детали изготовителя:	KM3H6001CM-b515 или другой чип	тип:	Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Описание:	беспроводный чип NRF52832	Напряжение тока - нервное расстройство:	/
Частота - переключение:	/	Сила (ватты):	/
Операционная температура:	-40°C \| 85°C (TJ)	Тип установки:	Поверхностный монтаж
Напряжение питания (мин.):	1.7V	Напряжение тока - поставка (Макс):	3.6V
Напряжение тока - выход:	/	Текущий объем производства/канал:	5.5MA-10.4MA
Частота:	2.4GHz	Заявления:	Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Тип FET:	/	Текущий объем производства (Макс):	/
Питание током:	/	Напряжение - питание:	1.7V-3.6V
Частота - максимум:	2.4GHz	Сила - Макс:	/
Толерантность:	16GB	Функция:	Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Напряжение - внутреннее:	/	Частота - выключение или центр:	/
Настоящий - утечка (()) (Макс):	/	Изолированная сила:	/
Напряжение тока - изоляция:	/	Текущий объем производства высокий, низкий:	/
Настоящий - пиковая мощность:	/	Напряжение тока - переднее (Vf) (тип):	/
Настоящий - DC передний (если), то (Макс):	/	Тип входного сигнала:	/
Тип выхода:	/	Отношение выходного тока к току на входе (минута):	/
Отношение выходного тока к току на входе (Макс):	/	Напряжение - выход (макс.):	/
Напряжение тока - с государства:	/	Статическое dV/dt (минута):	/
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс):	/	Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс):	/
Импеданс:	/	Импеданс - несбалансированный/сбалансированный:	/
Частота LO:	/	Частота RF:	1GHz
Ряд входного сигнала:	/	Выходная мощность:	//
(Низкий/максимум):	/	Спецификации:	/
Размер/размер:	/	Модуляция или протокол:	/
интерфейс:	/	Сила - выход:	//
Размер запоминающего устройства:	8 Гб 16 Гб 32 Гб 64 Гб 128 Гб	Протокол:	//
Модуляция:	/	Последовательные интерфейсы:	/
GPIO:	/	Использованные IC/часть:	KM3H6001CM-B515
Стандарты:	/	Стиль:	16GB
Тип памяти:	НАНД ФАЛШ eMMC eMCP 5.0 5.1	Writable память:	/
Сопротивление (омы):	/	Перекрестная ссылка:	/
Порт:	Шэньчжэнь

Номер детали изготовителя:	KM3H6001CM-b515 или другой чип
тип:	Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Описание:	беспроводный чип NRF52832
Напряжение тока - нервное расстройство:	/
Частота - переключение:	/
Сила (ватты):	/
Операционная температура:	-40°C \| 85°C (TJ)
Тип установки:	Поверхностный монтаж
Напряжение питания (мин.):	1.7V
Напряжение тока - поставка (Макс):	3.6V
Напряжение тока - выход:	/
Текущий объем производства/канал:	5.5MA-10.4MA
Частота:	2.4GHz
Заявления:	Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Тип FET:	/
Текущий объем производства (Макс):	/
Питание током:	/
Напряжение - питание:	1.7V-3.6V
Частота - максимум:	2.4GHz
Сила - Макс:	/
Толерантность:	16GB
Функция:	Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Напряжение - внутреннее:	/
Частота - выключение или центр:	/
Настоящий - утечка (()) (Макс):	/
Изолированная сила:	/
Напряжение тока - изоляция:	/
Текущий объем производства высокий, низкий:	/
Настоящий - пиковая мощность:	/
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип):	/
Настоящий - DC передний (если), то (Макс):	/
Тип входного сигнала:	/
Тип выхода:	/
Отношение выходного тока к току на входе (минута):	/
Отношение выходного тока к току на входе (Макс):	/
Напряжение - выход (макс.):	/
Напряжение тока - с государства:	/
Статическое dV/dt (минута):	/
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс):	/
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс):	/
Импеданс:	/
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный:	/
Частота LO:	/
Частота RF:	1GHz
Ряд входного сигнала:	/
Выходная мощность:	//
(Низкий/максимум):	/
Спецификации:	/
Размер/размер:	/
Модуляция или протокол:	/
интерфейс:	/
Сила - выход:	//
Размер запоминающего устройства:	8 Гб 16 Гб 32 Гб 64 Гб 128 Гб
Протокол:	//
Модуляция:	/
Последовательные интерфейсы:	/
GPIO:	/
Использованные IC/часть:	KM3H6001CM-B515
Стандарты:	/
Стиль:	16GB
Тип памяти:	НАНД ФАЛШ eMMC eMCP 5.0 5.1
Writable память:	/
Сопротивление (омы):	/
Перекрестная ссылка:	/
Порт:	Шэньчжэнь

Nand Flash Emmc Emcp BGA Reball BGA153 BGA169 BGA254 Включается только для устройств, предназначенных для использования в процессе разработки.

Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Добро пожаловать в нашу компанию! Мы являемся вашим универсальным поставщиком электронных компонентов ((BOM). Наш опыт заключается в предоставлении широкого спектра электронных компонентов для удовлетворения ваших разнообразных требований.Мы предлагаем:- Полупроводники: микроконтроллеры, транзисторы, диоды, интегральные схемы (ИК) - Пассивные компоненты: резисторы, конденсаторы, индукторы, соединители - Электромеханические компоненты: коммутаторы,реле, сенсорные приводы - источники питания: регуляторы напряжения, преобразователи мощности, управление батареями - оптоэлектроника: светодиоды, лазеры, фотодиоды, оптические датчики - радиочастотные и беспроводные компоненты: радиочастотные модули,Антенны, беспроводная связь - датчики: датчики температуры, датчики движения, датчики окружающей среды.

Тип: интегральные схемы Электронные компоненты

DC22+

MOQ: 1 шт.

Пакет: стандартный

Диапазон функциональных чипов широк и охватывает многие различные области применения, такие как связь, обработка изображений, управление датчиками, обработка звука, управление энергией и многое другое.

У нас есть тип чипов
Интегрированные схемы Электронные компоненты	Сравнительные интегральные устройства	Кодер-декодер	Космические интерфейсы
Референтные интегральные узлы напряжения	Усилитель	Перезагрузить детектор IC	IC усилителя мощности
Инфракрасный процессор IC	Чип интерфейса	Чип Bluetooth	Повышение и Buck чипсы
Чипы временной базы	Часовые коммуникационные чипы	IC-передатчика	Беспроводный радиочастотный интерфейс
Резистор чипа	Чип 2 для хранения	Чип Ethernet	Интегрированные схемы Электронные компоненты

Tags:

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале

Vishay IC

Электронные блоки Infineon

Интегральные схемаы IC

AOS IC

Электронные блоки Atmel

Обломок Altera

Xilinx IC

Микроконтроллер MCU

Микрон ISSI Samsung

Транзистор триода диода

UTC ICS ROHM

Интегральная схемаа микросхемы

Резисторы и конденсаторы

Nand Flash Emmc Emcp BGA Reball BGA153 BGA169 BGA254 Включается только для устройств, предназначенных для использования в процессе разработки.

Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Двухполярный UTC ICS транзистора ROHM,

Транзистор UTC ICS ROHM двухполярный,

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале