Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: original
Номер модели: LM3886TF
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 10 штук
Цена: $1.40/pieces >=10 pieces
Упаковывая детали: Противостатическая упаковка
Поставка способности: 10000 часть/частей в День
тип: |
Другие, транзисторы IGBT |
Операционная температура: |
-55°C | 175°C (TJ) |
Серия: |
Стандартный |
Тип установки: |
Через дыру |
Описание: |
/ |
D/C: |
/ |
Тип упаковки: |
/ |
Применение: |
/ |
Тип поставщика: |
Прочие |
Перекрестная ссылка: |
Стандартный |
Доступные средства массовой информации: |
прочие |
Бренд: |
MOSFET N-CH 100V 33A до 247AC |
Настоящий - сборник (Ic) (Макс): |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): |
/ |
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: |
/ |
Настоящий - выключение сборника (Макс): |
/ |
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: |
/ |
Сила - Макс: |
/ |
Частота - переход: |
/ |
Пакет / чемодан: |
TO-247-3 |
Резистор - основание (R1): |
/ |
Резистор - основание излучателя (R2): |
/ |
Тип FET: |
N-канал |
Особенность FET: |
прочие |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): |
100 В |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: |
33A (Tc) |
Rds на (Макс) @ id, Vgs: |
52mOhm @ 16A, 10В |
Id Vgs (th) (Макс) @: |
4В @ 250UA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: |
94nC @ 10В |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: |
1400pF @ 25V |
Частота: |
/ |
Настоящая оценка (Amps): |
/ |
Диаграмма шума: |
/ |
Сила - выход: |
/ |
Напряжение - номинальное: |
/ |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): |
10 В |
Vgs (Макс): |
±20V |
Тип IGBT: |
/ |
Конфигурация: |
Прочие |
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: |
/ |
Входная емкость (Cies) @ Vce: |
/ |
Ввод: |
/ |
Термистор NTC: |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): |
/ |
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Потребление тока (id) - Макс: |
/ |
Напряжение тока - id выключения (VGS) @: |
/ |
Сопротивление - RDS (дальше): |
/ |
Напряжение: |
/ |
Напряжение тока - выход: |
/ |
Напряжение тока - смещение (Vt): |
/ |
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao): |
/ |
Настоящий - долина (iv): |
/ |
Настоящий - пик: |
/ |
Заявления: |
/ |
Тип транзистора: |
Транзистор мощности mrf150 rf |
Порт: |
Шэньчжэнь |
тип: |
Другие, транзисторы IGBT |
Операционная температура: |
-55°C | 175°C (TJ) |
Серия: |
Стандартный |
Тип установки: |
Через дыру |
Описание: |
/ |
D/C: |
/ |
Тип упаковки: |
/ |
Применение: |
/ |
Тип поставщика: |
Прочие |
Перекрестная ссылка: |
Стандартный |
Доступные средства массовой информации: |
прочие |
Бренд: |
MOSFET N-CH 100V 33A до 247AC |
Настоящий - сборник (Ic) (Макс): |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): |
/ |
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: |
/ |
Настоящий - выключение сборника (Макс): |
/ |
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: |
/ |
Сила - Макс: |
/ |
Частота - переход: |
/ |
Пакет / чемодан: |
TO-247-3 |
Резистор - основание (R1): |
/ |
Резистор - основание излучателя (R2): |
/ |
Тип FET: |
N-канал |
Особенность FET: |
прочие |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): |
100 В |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: |
33A (Tc) |
Rds на (Макс) @ id, Vgs: |
52mOhm @ 16A, 10В |
Id Vgs (th) (Макс) @: |
4В @ 250UA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: |
94nC @ 10В |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: |
1400pF @ 25V |
Частота: |
/ |
Настоящая оценка (Amps): |
/ |
Диаграмма шума: |
/ |
Сила - выход: |
/ |
Напряжение - номинальное: |
/ |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): |
10 В |
Vgs (Макс): |
±20V |
Тип IGBT: |
/ |
Конфигурация: |
Прочие |
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: |
/ |
Входная емкость (Cies) @ Vce: |
/ |
Ввод: |
/ |
Термистор NTC: |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): |
/ |
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Потребление тока (id) - Макс: |
/ |
Напряжение тока - id выключения (VGS) @: |
/ |
Сопротивление - RDS (дальше): |
/ |
Напряжение: |
/ |
Напряжение тока - выход: |
/ |
Напряжение тока - смещение (Vt): |
/ |
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao): |
/ |
Настоящий - долина (iv): |
/ |
Настоящий - пик: |
/ |
Заявления: |
/ |
Тип транзистора: |
Транзистор мощности mrf150 rf |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Типы микросхем, которые у нас есть | ||||||
Интегральные схемы Электронные компоненты | ИС компаратора | Декодер-кодер | Сенсорные ИС | |||
ИС опорного напряжения | Усилитель | ИС детектора сброса | ИС усилителя мощности | |||
ИС инфракрасной обработки | Интерфейсная микросхема | Bluetooth-чип | Микросхемы повышения и понижения напряжения | |||
Микросхемы временной базы | Микросхемы синхронизации связи | Приемопередатчик ИС | Беспроводная РЧ ИС | |||
Чип-резистор | Чип памяти 2 | Ethernet-чип | Интегральные схемы Электронные компоненты | |||
