Детали продукта
Место происхождения: Афганистан
Фирменное наименование: original
Номер модели: БАТ54HT1G
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 100 штук
Цена: $0.01 - $0.08/pieces
Упаковывая детали: Противостатическая упаковка
Поставка способности: 10000 штук в неделю
Операционная температура: |
/ |
Тип установки: |
/ |
Описание: |
/, / |
Тип: |
Сигнальный диод |
Тип упаковки: |
Поверхностный монтаж |
Приложение: |
NA |
Тип поставщика: |
прочие |
Средства массовой информации доступные: |
Прочие |
Максимальное пропускное напряжение: |
30 В |
Максимальное обратное напряжение: |
1.25V |
Максимальный пропускной ток: |
200 мА |
Максимальн Обратн Настоящ: |
150 мА |
Тип диода: |
/ |
Технологии: |
/ |
Напряжение - обратный пик (макс.): |
/ |
Текущее - среднее скорректированное (Io): |
/ |
Напряжение - вперед (Vf) (макс.): |
/ |
Ток - обратная утечка @ Vr: |
/ |
Пакет / чемодан: |
/ |
Конфигурация диодов: |
/ |
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.): |
/ |
Средний исправленный ток (Io) (на диод): |
/ |
Скорость: |
Малый сигнал =< 200mA (Io), любая скорость |
Время обратного восстановления (trr): |
/ |
Пропускная способность @ Vr, F: |
/ |
Настоящий - Макс: |
/ |
Сопротивление @ если, f: |
/ |
Диссипация силы (Макс): |
/ |
Коэффициент емкости: |
/ |
Состояние соотношения емкости: |
/ |
Конфигурация: |
/ |
Напряжение - Zener (Nom) (Vz): |
/ |
Толерантность: |
/ |
Импеданс (Max) (Zzt): |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Операционная температура: |
/ |
Тип установки: |
/ |
Описание: |
/, / |
Тип: |
Сигнальный диод |
Тип упаковки: |
Поверхностный монтаж |
Приложение: |
NA |
Тип поставщика: |
прочие |
Средства массовой информации доступные: |
Прочие |
Максимальное пропускное напряжение: |
30 В |
Максимальное обратное напряжение: |
1.25V |
Максимальный пропускной ток: |
200 мА |
Максимальн Обратн Настоящ: |
150 мА |
Тип диода: |
/ |
Технологии: |
/ |
Напряжение - обратный пик (макс.): |
/ |
Текущее - среднее скорректированное (Io): |
/ |
Напряжение - вперед (Vf) (макс.): |
/ |
Ток - обратная утечка @ Vr: |
/ |
Пакет / чемодан: |
/ |
Конфигурация диодов: |
/ |
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.): |
/ |
Средний исправленный ток (Io) (на диод): |
/ |
Скорость: |
Малый сигнал =< 200mA (Io), любая скорость |
Время обратного восстановления (trr): |
/ |
Пропускная способность @ Vr, F: |
/ |
Настоящий - Макс: |
/ |
Сопротивление @ если, f: |
/ |
Диссипация силы (Макс): |
/ |
Коэффициент емкости: |
/ |
Состояние соотношения емкости: |
/ |
Конфигурация: |
/ |
Напряжение - Zener (Nom) (Vz): |
/ |
Толерантность: |
/ |
Импеданс (Max) (Zzt): |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Типы микросхем, которые у нас есть | ||||||
Интегральные схемы Электронные компоненты | ИС компаратора | Декодер-кодер | Сенсорные ИС | |||
ИС опорного напряжения | Усилитель | ИС детектора сброса | ИС усилителя мощности | |||
ИС инфракрасной обработки | Интерфейсная микросхема | Bluetooth-чип | Микросхемы повышения и понижения напряжения | |||
Микросхемы временной базы | Микросхемы синхронизации связи | Приемопередатчик ИС | Беспроводная РЧ ИС | |||
Чип-резистор | Чип памяти 2 | Ethernet-чип | Интегральные схемы Электронные компоненты | |||
