Выделить:
тип: |
JFET, транзистор с эффектом поля, IGBT транзистор |
Серия: |
Стандартный |
Тип установки: |
Стандартный |
Описание: |
/ |
D/C: |
, |
Тип упаковки: |
Повсеместно в отверстие |
Применение: |
Диоды быстрого восстановления |
Тип поставщика: |
Прочие |
Ссылки: |
Стандарт |
Средства массовой информации доступные: |
Прочие |
Бренд: |
, |
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): |
, |
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: |
, |
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: |
, |
Резистор - основание (R1): |
, |
Резистор - основание излучателя (R2): |
, |
Особенность FET: |
Стандартный |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): |
, |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: |
, |
Rds на (Макс) @ id, Vgs: |
, |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
, |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: |
, |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: |
, |
Частота: |
, |
Настоящая оценка (Amps): |
, |
Диаграмма шума: |
, |
Сила - выход: |
, |
Расклассифицированное напряжение тока -: |
, |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): |
, |
Vgs (Макс): |
, |
Тип IGBT: |
, |
Конфигурация: |
Стандартный |
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: |
, |
Входная емкость (Cies) @ Vce: |
, |
Ввод: |
, |
Термистор NTC: |
, |
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): |
, |
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Потребление тока (id) - Макс: |
, |
Напряжение тока - id выключения (VGS) @: |
, |
Сопротивление - RDS (дальше): |
, |
Напряжение: |
, |
Напряжение тока - выход: |
, |
Напряжение тока - смещение (Vt): |
, |
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao): |
, |
Настоящий - долина (iv): |
, |
Настоящий - пик: |
, |
Заявления: |
, |
Тип транзистора: |
Транзистор мощности mrf150 rf |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Диоды Rohs 1000V 1.1V @ 1A (DO-214AC) - Транзисторы общего назначения GS1M
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!