Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: original
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 10 штук
Цена: $0.15/pieces 10-99 pieces
Упаковывая детали: Противостатическая упаковка
Поставка способности: 10000 часть/частей в День
Номер детали изготовителя: |
NB3L553DR2G |
Тип: |
ICs |
Описание: |
NB3L553DR2G |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
NA, не применимо |
Частота - переключение: |
- |
Сила (ватты): |
- |
Операционная температура: |
-40°C ~ 85°C |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение питания (мин.): |
2.375V |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
5.25V |
Напряжение тока - выход: |
2.375V | 5.25V |
Текущий объем производства/канал: |
- |
Частота: |
- |
Заявления: |
Часы/время - буфера часов, водители |
Тип FET: |
/, Не применимо |
Текущий объем производства (Макс): |
- |
Питание током: |
- |
Напряжение - питание: |
2.375V | 5.25V |
Частота - максимум: |
- |
Сила - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
- |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение тока - изоляция: |
- |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
- |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
- |
Тип ввода: |
IC |
Тип выхода: |
/, Не применимо |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение тока - с государства: |
- |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
- |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
Частота LO: |
- |
Частота RF: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
Полосы частот (низкие / высокие): |
- |
Спецификации: |
/ |
Размер/размер: |
0.154", 3,90 мм Ширина |
Модуляция или протокол: |
- |
интерфейс: |
- |
Сила - выход: |
- |
Размер памяти: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
- |
GPIO: |
- |
Использованные IC/часть: |
NB3L553DR2G |
Стандарты: |
ISO |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
/, Не применимо |
Writable память: |
- |
Сопротивление (омы): |
- |
Ссылки: |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Номер детали изготовителя: |
NB3L553DR2G |
Тип: |
ICs |
Описание: |
NB3L553DR2G |
Напряжение тока - нервное расстройство: |
NA, не применимо |
Частота - переключение: |
- |
Сила (ватты): |
- |
Операционная температура: |
-40°C ~ 85°C |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение питания (мин.): |
2.375V |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
5.25V |
Напряжение тока - выход: |
2.375V | 5.25V |
Текущий объем производства/канал: |
- |
Частота: |
- |
Заявления: |
Часы/время - буфера часов, водители |
Тип FET: |
/, Не применимо |
Текущий объем производства (Макс): |
- |
Питание током: |
- |
Напряжение - питание: |
2.375V | 5.25V |
Частота - максимум: |
- |
Сила - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
- |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение тока - изоляция: |
- |
Текущий объем производства высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
- |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
- |
Тип ввода: |
IC |
Тип выхода: |
/, Не применимо |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение тока - с государства: |
- |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
- |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
Частота LO: |
- |
Частота RF: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
Полосы частот (низкие / высокие): |
- |
Спецификации: |
/ |
Размер/размер: |
0.154", 3,90 мм Ширина |
Модуляция или протокол: |
- |
интерфейс: |
- |
Сила - выход: |
- |
Размер памяти: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
- |
GPIO: |
- |
Использованные IC/часть: |
NB3L553DR2G |
Стандарты: |
ISO |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
/, Не применимо |
Writable память: |
- |
Сопротивление (омы): |
- |
Ссылки: |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Типы микросхем, которые у нас есть | ||||||
Интегральные схемы Электронные компоненты | ИС компаратора | Декодер-кодер | Сенсорные ИС | |||
ИС опорного напряжения | Усилитель | ИС детектора сброса | ИС усилителя мощности | |||
ИС инфракрасной обработки | Интерфейсная микросхема | Bluetooth-чип | Микросхемы повышения и понижения напряжения | |||
Микросхемы временной базы | Микросхемы синхронизации связи | Приемопередатчик ИС | Беспроводная РЧ ИС | |||
Чип-резистор | Чип памяти 2 | Ethernet-чип | Интегральные схемы Электронные компоненты | |||
