Выделить:
тип: |
Другие, транзисторы IGBT |
Операционная температура: |
/ |
Серия: |
Стандартный |
Тип установки: |
Стандартный |
Описание: |
/ |
D/C: |
22+ |
Тип упаковки: |
Повсеместно в отверстие |
Применение: |
Стандартный |
Тип поставщика: |
Прочие |
Перекрестная ссылка: |
/ |
Средства массовой информации доступные: |
Прочие |
Бренд: |
/ |
Настоящий - сборник (Ic) (Макс): |
89 А |
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): |
75 v |
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: |
/ |
Настоящий - выключение сборника (Макс): |
/ |
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: |
/ |
Сила - Макс: |
170 w |
Частота - переход: |
/ |
Пакет / чемодан: |
/ |
Резистор - основание (R1): |
/ |
Резистор - основание излучателя (R2): |
/ |
Тип FET: |
/ |
Особенность FET: |
/ |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): |
/ |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: |
/ |
Rds на (Макс) @ id, Vgs: |
/ |
Id Vgs (th) (Макс) @: |
/ |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: |
/ |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: |
/ |
Частота: |
/ |
Настоящая оценка (Amps): |
/ |
Диаграмма шума: |
/ |
Сила - выход: |
/ |
Расклассифицированное напряжение тока -: |
/ |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): |
/ |
Vgs (Макс): |
/ |
Тип IGBT: |
/ |
Конфигурация: |
/ |
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: |
/ |
Входная емкость (Cies) @ Vce: |
/ |
Ввод: |
/ |
Термистор NTC: |
/ |
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS): |
/ |
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Потребление тока (id) - Макс: |
/ |
Напряжение тока - id выключения (VGS) @: |
/ |
Сопротивление - RDS (дальше): |
/ |
Напряжение: |
/ |
Напряжение тока - выход: |
/ |
Напряжение тока - смещение (Vt): |
/ |
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao): |
/ |
Настоящий - долина (iv): |
/ |
Настоящий - пик: |
/ |
Заявления: |
/ |
Тип транзистора: |
Транзистор мощности mrf150 rf |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Новый электронный компонент IC IRF2807 MOSFET IRF
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!