Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: original
Условия оплаты & доставки
Цена: $0.90 - $4.90/pieces
Упаковывая детали: Противостатическая упаковка
Поставка способности: 10000 штук в неделю
Тип: |
Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Описание: |
LA4440 |
Напряжение - сбой: |
, |
Частота - переключение: |
- |
Мощность (Ватт): |
- |
Операционная температура: |
- |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение - питание (мин): |
- |
Напряжение - питание (макс.): |
- |
Напряжение - выход: |
- |
Ток - выход / канал: |
- |
Частота: |
/ |
Заявления: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Тип FET: |
/ |
Ток - выход (макс.): |
- |
Текущее - поставка: |
- |
Напряжение - питание: |
- |
Частота - максимум: |
- |
Мощность - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение - изоляция: |
- |
Ток - Выход высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
/ |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
/ |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
/ |
Напряжение - выход (макс.): |
/ |
Напряжение - отключено: |
/ |
Статическое dV/dt (минута): |
/ |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
/ |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
/ |
Импеданс: |
/ |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
/ |
LO частота: |
/ |
RF частота: |
/ |
Ряд входного сигнала: |
/ |
Выходная мощность: |
/ |
(Низкий/максимум): |
/ |
спецификации: |
/ |
Размер / Размер: |
/ |
Модуляция или протокол: |
/ |
Интерфейс: |
/ |
Мощность - выход: |
/ |
Размер памяти: |
4 Гб 8 Гб 16 Гб 32 Гб 64 Гб 128 Гб 256 Гб |
Протокол: |
/ |
Модуляция: |
/ |
Последовательные интерфейсы: |
/ |
GPIO: |
/ |
Стандарты: |
/ |
Стиль: |
/ |
Тип памяти: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Writable память: |
/ |
Сопротивление (Омм): |
/ |
Ссылки: |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Тип: |
Мемориальный интерфейс IC NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Описание: |
LA4440 |
Напряжение - сбой: |
, |
Частота - переключение: |
- |
Мощность (Ватт): |
- |
Операционная температура: |
- |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение - питание (мин): |
- |
Напряжение - питание (макс.): |
- |
Напряжение - выход: |
- |
Ток - выход / канал: |
- |
Частота: |
/ |
Заявления: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Тип FET: |
/ |
Ток - выход (макс.): |
- |
Текущее - поставка: |
- |
Напряжение - питание: |
- |
Частота - максимум: |
- |
Мощность - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC-чип памяти |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение - изоляция: |
- |
Ток - Выход высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
/ |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
/ |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
/ |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
/ |
Напряжение - выход (макс.): |
/ |
Напряжение - отключено: |
/ |
Статическое dV/dt (минута): |
/ |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
/ |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
/ |
Импеданс: |
/ |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
/ |
LO частота: |
/ |
RF частота: |
/ |
Ряд входного сигнала: |
/ |
Выходная мощность: |
/ |
(Низкий/максимум): |
/ |
спецификации: |
/ |
Размер / Размер: |
/ |
Модуляция или протокол: |
/ |
Интерфейс: |
/ |
Мощность - выход: |
/ |
Размер памяти: |
4 Гб 8 Гб 16 Гб 32 Гб 64 Гб 128 Гб 256 Гб |
Протокол: |
/ |
Модуляция: |
/ |
Последовательные интерфейсы: |
/ |
GPIO: |
/ |
Стандарты: |
/ |
Стиль: |
/ |
Тип памяти: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Writable память: |
/ |
Сопротивление (Омм): |
/ |
Ссылки: |
/ |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Типы микросхем, которые у нас есть | ||||||
Интегральные схемы Электронные компоненты | ИС компаратора | Декодер-кодер | Сенсорные ИС | |||
ИС опорного напряжения | Усилитель | ИС детектора сброса | ИС усилителя мощности | |||
ИС инфракрасной обработки | Интерфейсная микросхема | Bluetooth-чип | Микросхемы повышения и понижения напряжения | |||
Микросхемы временной базы | Микросхемы синхронизации связи | Приемопередатчик ИС | Беспроводная РЧ ИС | |||
Чип-резистор | Чип памяти 2 | Ethernet-чип | Интегральные схемы Электронные компоненты | |||
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
