Детали продукта
Место происхождения: Гуандун, Китай
Фирменное наименование: Original
Номер модели: СИ10ЭП52ВКГ
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 10 штук
Цена: $1.00/pieces 10-999 pieces
Упаковывая детали: Лучший пакет
Поставка способности: 10000 штук в день
Номер части: |
СИ10ЭП52ВКГ |
Время выполнения: |
на складе |
Оплата: |
Обеспечение Paypal/TT/Trade/кредитная карточка |
Тип: |
интегральная схемаа |
Описание: |
IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8MSOP |
Напряжение - сбой: |
- |
Частота - переключение: |
- |
Мощность (Ватт): |
- |
Операционная температура: |
-40°C ~ 85°C (TA), стандартный |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение - питание (мин): |
- |
Напряжение - питание (макс.): |
- |
Напряжение - выход: |
- |
Ток - выход / канал: |
- |
Частота: |
- |
Заявления: |
Активный |
Тип FET: |
- |
Ток - выход (макс.): |
- |
Текущее - поставка: |
- |
Напряжение - питание: |
-3V | -5.5V |
Частота - максимум: |
- |
Мощность - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
Стандарт |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение - изоляция: |
5000Vrms |
Ток - Выход высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
1.15В |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
50 мА |
Тип ввода: |
- |
Тип вывода: |
Триак |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение - отключено: |
400 В |
Статическое dV/dt (минута): |
1kV/µs |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
15 мА |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
LO частота: |
- |
RF частота: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
Полосы частот (низкие / высокие): |
- |
спецификации: |
- |
Размер / Размер: |
- |
Модуляция или протокол: |
- |
Интерфейс: |
- |
Мощность - выход: |
- |
Размер памяти: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
- |
ГПИО: |
- |
Использованные IC/часть: |
- |
Стандарты: |
- |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (Омм): |
- |
Ссылки: |
- |
Порт: |
Шэньчжэнь/Гонконг |
Номер части: |
СИ10ЭП52ВКГ |
Время выполнения: |
на складе |
Оплата: |
Обеспечение Paypal/TT/Trade/кредитная карточка |
Тип: |
интегральная схемаа |
Описание: |
IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8MSOP |
Напряжение - сбой: |
- |
Частота - переключение: |
- |
Мощность (Ватт): |
- |
Операционная температура: |
-40°C ~ 85°C (TA), стандартный |
Тип установки: |
Поверхностный монтаж |
Напряжение - питание (мин): |
- |
Напряжение - питание (макс.): |
- |
Напряжение - выход: |
- |
Ток - выход / канал: |
- |
Частота: |
- |
Заявления: |
Активный |
Тип FET: |
- |
Ток - выход (макс.): |
- |
Текущее - поставка: |
- |
Напряжение - питание: |
-3V | -5.5V |
Частота - максимум: |
- |
Мощность - Макс: |
- |
Толерантность: |
- |
Функция: |
Стандарт |
Напряжение - внутреннее: |
- |
Частота - выключение или центр: |
- |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
- |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение - изоляция: |
5000Vrms |
Ток - Выход высокий, низкий: |
- |
Настоящий - пиковая мощность: |
- |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
1.15В |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
50 мА |
Тип ввода: |
- |
Тип вывода: |
Триак |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
- |
Напряжение - выход (макс.): |
- |
Напряжение - отключено: |
400 В |
Статическое dV/dt (минута): |
1kV/µs |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
15 мА |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
LO частота: |
- |
RF частота: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
Полосы частот (низкие / высокие): |
- |
спецификации: |
- |
Размер / Размер: |
- |
Модуляция или протокол: |
- |
Интерфейс: |
- |
Мощность - выход: |
- |
Размер памяти: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
- |
ГПИО: |
- |
Использованные IC/часть: |
- |
Стандарты: |
- |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (Омм): |
- |
Ссылки: |
- |
Порт: |
Шэньчжэнь/Гонконг |
Полупроводники | микроконтроллеры | транзисторы | диоды | интегральные схемы (IC) |
Пассивные компоненты | резисторы | конденсаторы | индукторы | соединители |
Электромеханические компоненты | переключатели | реле | датчик | РЧ и беспроводные компоненты |
Оптоэлектроника | Светодиоды | оптические датчики | Модуль IGBT | регулировщики напряжения |
У нас есть тип чипов | ||||||
Интегрированные схемы Электронные компоненты | Сравнительные интегральные устройства | Кодер-декодер | Космические интерфейсы | |||
Референтные интегральные узлы напряжения | Усилитель | Перезагрузить детектор IC | IC усилителя мощности | |||
Инфракрасный процессор IC | Чип интерфейса | Чип Bluetooth | Повышение и Buck чипсы | |||
Чипы временной базы | Часовые коммуникационные чипы | IC-передатчика | Беспроводный радиочастотный интерфейс | |||
Резистор чипа | Чип 2 для хранения | Чип Ethernet | Интегрированные схемы Электронные компоненты | |||
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
Видео
