Выделить:
Состояние: |
Совершенно новый и оригинальный |
Упаковка: |
Упаковка стойки |
Тип: |
интегральная схемаа |
Описание: |
NS312 Цифровой умный датчик |
Напряжение - сбой: |
V |
Частота - переключение: |
Гц |
Мощность (Ватт): |
W |
Операционная температура: |
В |
Тип установки: |
THT |
Напряжение - питание (мин): |
V |
Напряжение тока - поставка (Макс): |
V |
Напряжение - выход: |
V |
Ток - выход / канал: |
а) |
Частота: |
Гц |
Заявления: |
Сенсорные чипы |
Тип FET: |
- |
Ток - выход (макс.): |
а) |
Текущее - поставка: |
а) |
Напряжение - питание: |
V |
Частота - максимум: |
Гц |
Мощность - Макс: |
W |
Толерантность: |
- |
Функция: |
- |
Напряжение - внутреннее: |
V |
Частота - выключение или центр: |
Гц |
Настоящий - утечка (()) (Макс): |
а) |
Изолированная сила: |
- |
Напряжение - изоляция: |
V |
Ток - Выход высокий, низкий: |
а) |
Настоящий - пиковая мощность: |
а) |
Напряжение тока - переднее (Vf) (тип): |
V |
Настоящий - DC передний (если), то (Макс): |
А. |
Тип ввода: |
- |
Тип вывода: |
- |
Отношение выходного тока к току на входе (минута): |
а) |
Отношение выходного тока к току на входе (Макс): |
а) |
Напряжение - выход (макс.): |
V |
Напряжение - отключено: |
V |
Статическое dV/dt (минута): |
- |
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс): |
а) |
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс): |
- |
Импеданс: |
- |
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный: |
- |
LO частота: |
- |
RF частота: |
- |
Ряд входного сигнала: |
- |
Выходная мощность: |
- |
Полосы частот (низкие / высокие): |
- |
спецификации: |
- |
Размер / Размер: |
- |
Модуляция или протокол: |
- |
Интерфейс: |
- |
Мощность - выход: |
W |
Размер памяти: |
- |
Протокол: |
- |
Модуляция: |
- |
Последовательные интерфейсы: |
- |
ГПИО: |
- |
Использованные IC/часть: |
- |
Стандарты: |
- |
Стиль: |
- |
Тип памяти: |
- |
Writable память: |
- |
Сопротивление (Омм): |
- |
Ссылки: |
- |
Порт: |
Шэньчжэнь |
Совершенно новый и оригинальный BS612 BM NS612 BS412 BL412 AS AM NS312 Digital Smart IC Chips Sensor
