ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MMBFJ108

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: JFET N-CH 25V SOT23-3

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
N-канал
статус продукта:
Активный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
25 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 мА @ 15 В
Мфр:
ОНСЕМИ
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
3 V @ 10 nA
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Мощность - Макс:
350 mW
Сопротивление - RDS (дальше):
8 Омм
Номер базовой продукции:
MMBFJ1
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
N-канал
статус продукта:
Активный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
25 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 мА @ 15 В
Мфр:
ОНСЕМИ
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
3 V @ 10 nA
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Мощность - Макс:
350 mW
Сопротивление - RDS (дальше):
8 Омм
Номер базовой продукции:
MMBFJ1
MMBFJ108
JFET N-Channel 25 V 350 mW Поверхностная установка SOT-23-3
Подобные продукты
Транзистор TO-247 IRFP 2P4M триода диода 2P4M IRFP260N 200V 50A Видео
24AA02/SN - это 2 Кбитная электрически стираемая PROM. Видео