logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

БСР58ЛТ1Г

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: JFET N-CH 40V SOT23-3

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
N-канал
статус продукта:
Старый
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
40 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 мА @ 15 В
Мфр:
ОНСЕМИ
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
800 мВ @ 1 мА
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Операционная температура:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Мощность - Макс:
350 mW
Сопротивление - RDS (дальше):
60 Омм
Номер базовой продукции:
BSR58
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
N-канал
статус продукта:
Старый
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
40 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 мА @ 15 В
Мфр:
ОНСЕМИ
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
800 мВ @ 1 мА
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Операционная температура:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Мощность - Макс:
350 mW
Сопротивление - RDS (дальше):
60 Омм
Номер базовой продукции:
BSR58
БСР58ЛТ1Г
JFET N-Channel 40 V 350 mW Поверхностная установка SOT-23-3 (TO-236)
Подобные продукты
Транзистор TO-247 IRFP 2P4M триода диода 2P4M IRFP260N 200V 50A Видео
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену