logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

МББФJ201_G

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: JFET N-CH 40V SOT23-3

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
N-канал
статус продукта:
Старый
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
40 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
200 μA @ 20 В
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
300 мВ @ 10 нА
Мощность - Макс:
350 mW
Мфр:
ОНСЕМИ
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер базовой продукции:
MMBFJ2
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
N-канал
статус продукта:
Старый
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
40 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
200 μA @ 20 В
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
300 мВ @ 10 нА
Мощность - Макс:
350 mW
Мфр:
ОНСЕМИ
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер базовой продукции:
MMBFJ2
МББФJ201_G
JFET N-Channel 40 V 350 mW Поверхностная установка SOT-23-3
Подобные продукты
Транзистор TO-247 IRFP 2P4M триода диода 2P4M IRFP260N 200V 50A Видео
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену
Получите самую лучшую цену