ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Главная страница
Продукция
Электронные блоки ICs
ST ICS
RENESAS IC
Аналоговые устройства ADI
Полупроводник Texas Instruments национальный
НА полупроводнике Фэйрчайлде
Полупроводники на свободной шкале
Vishay IC
Электронные блоки Infineon
Интегральные схемаы IC
AOS IC
Электронные блоки Atmel
Обломок Altera
Xilinx IC
Микроконтроллер MCU
Микрон ISSI Samsung
Транзистор триода диода
UTC ICS ROHM
Интегральная схемаа микросхемы
Резисторы и конденсаторы
Универсальный программатор микросхем
Ролики
О Компании
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
контактные данные
События
Новости
Случаи
russian
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
цитата
Главная страница
Продукция
Электронные блоки ICs
ST ICS
RENESAS IC
Аналоговые устройства ADI
Полупроводник Texas Instruments национальный
НА полупроводнике Фэйрчайлде
Полупроводники на свободной шкале
Vishay IC
Электронные блоки Infineon
Интегральные схемаы IC
AOS IC
Электронные блоки Atmel
Обломок Altera
Xilinx IC
Микроконтроллер MCU
Микрон ISSI Samsung
Транзистор триода диода
UTC ICS ROHM
Интегральная схемаа микросхемы
Резисторы и конденсаторы
Универсальный программатор микросхем
Ролики
О Компании
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
контактные данные
События
Новости
Случаи
Свяжитесь мы
продукты
продукты
Дом > продукты > Транзистор триода диода > MS2N5116
Категории

Электронные блоки ICs

(57592)

ST ICS

(683)

RENESAS IC

(105)

Аналоговые устройства ADI

(1904)

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1489)

НА полупроводнике Фэйрчайлде

(911)

Полупроводники на свободной шкале

(495)

Vishay IC

(204)

Электронные блоки Infineon

(161)

Интегральные схемаы IC

(258)

AOS IC

(545)

Электронные блоки Atmel

(130)

Обломок Altera

(153)

Xilinx IC

(170)

Микроконтроллер MCU

(2101)

Микрон ISSI Samsung

(2840)

Транзистор триода диода

(2118)

UTC ICS ROHM

(2643)

Интегральная схемаа микросхемы

(1079)

Резисторы и конденсаторы

(3067)

Универсальный программатор микросхем

(10)
Контакты
Контакты: Miss. Amy
Телефон: 86-180-3344-1064
Факс:
Контакт теперь
Перешлите нас
MS2N5116
MS2N5116

MS2N5116

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: JFET P-CH 30V TO18

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
P-канал
статус продукта:
Активный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
30 В
Тип установки:
Через дыру
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 мА @ 15 В
Мфр:
Технология микрочипов
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
1 В @ 1 НА
Пакет изделий поставщика:
TO-18 (TO-206AA)
Пакет / чемодан:
TO-206AA, металл TO-18-3 может
Мощность - Макс:
500 мВт
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Сопротивление - RDS (дальше):
175 Омм
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
30 В
Операционная температура:
-65°C | 200°C (TJ)
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы ОТПИ
Тип FET:
P-канал
статус продукта:
Активный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS):
30 В
Тип установки:
Через дыру
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 мА @ 15 В
Мфр:
Технология микрочипов
Напряжение тока - id выключения (VGS) @:
1 В @ 1 НА
Пакет изделий поставщика:
TO-18 (TO-206AA)
Пакет / чемодан:
TO-206AA, металл TO-18-3 может
Мощность - Макс:
500 мВт
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Сопротивление - RDS (дальше):
175 Омм
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
30 В
Операционная температура:
-65°C | 200°C (TJ)
MS2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW через отверстие TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Транзистор триода диода IRFP90N20D,

Транзистор триода диода через установку отверстия,

транзистор триода диода 200V 50A

Подобные продукты
Транзистор TO-247 IRFP 2P4M триода диода 2P4M IRFP260N 200V 50A Видео

Транзистор TO-247 IRFP 2P4M триода диода 2P4M IRFP260N 200V 50A

Получите самую лучшую цену
Пакет транзистора силы NPN триода TIP137 двухполярный 100V 6A TO-220-3 Видео

Пакет транзистора силы NPN триода TIP137 двухполярный 100V 6A TO-220-3

Получите самую лучшую цену
Транзистор 150V 104A TO220AB канала n транзистора триода диода TIP120 Видео

Транзистор 150V 104A TO220AB канала n транзистора триода диода TIP120

Получите самую лучшую цену
Регулятор напряжения тока Ic Pin транзистора 3 триода диода MJE13003-2 1000V 1A Видео

Регулятор напряжения тока Ic Pin транзистора 3 триода диода MJE13003-2 1000V 1A

Получите самую лучшую цену
Mosfet транзистора триода диода MBRF30100VT+ одевает Ic 600V 15A To247 Видео

Mosfet транзистора триода диода MBRF30100VT+ одевает Ic 600V 15A To247

Получите самую лучшую цену
24AA02/SN - это 2 Кбитная электрически стираемая PROM. Видео

24AA02/SN - это 2 Кбитная электрически стираемая PROM.

Получите самую лучшую цену
PMV100EPAR P-канальный транзистор с эффектом поля повышенного режима (FET), использующий технологию траншеи MOSFET Видео

PMV100EPAR P-канальный транзистор с эффектом поля повышенного режима (FET), использующий технологию траншеи MOSFET

Получите самую лучшую цену
PMV48XPAR использует полевой транзистор (FET) с P-каналом и режимом обогащения, применяющий технологию траншейных MOSFET, размещенный в компактном корпусе SOT23 (TO-236AB). Видео

PMV48XPAR использует полевой транзистор (FET) с P-каналом и режимом обогащения, применяющий технологию траншейных MOSFET, размещенный в компактном корпусе SOT23 (TO-236AB).

Получите самую лучшую цену
PMEG4010EH, Шоттки барьерный выпрямитель на 115 В, включающий интегрированное защитное кольцо для защиты от перенапряжений, в компактном, низкопрофильном, поверхностно-монтируемом (SMD) пластиковом корпусе. Видео

PMEG4010EH, Шоттки барьерный выпрямитель на 115 В, включающий интегрированное защитное кольцо для защиты от перенапряжений, в компактном, низкопрофильном, поверхностно-монтируемом (SMD) пластиковом корпусе.

Получите самую лучшую цену
PMEG4010CEH, 115V Schottky barrier rectifier, включающий в себя защитное кольцо для защиты от напряжения, помещенное в компактную пластиковую упаковку с низким профилем, устройство для установки на поверхность (SMD). Видео

PMEG4010CEH, 115V Schottky barrier rectifier, включающий в себя защитное кольцо для защиты от напряжения, помещенное в компактную пластиковую упаковку с низким профилем, устройство для установки на поверхность (SMD).

Получите самую лучшую цену
PMEG4010BEA, планарный выпрямитель Шоттки на 115 В, включающий интегрированное защитное кольцо для защиты от перенапряжений, выполненный в ультракомпактном корпусе для поверхностного монтажа SOD323 (SC-76). Видео

PMEG4010BEA, планарный выпрямитель Шоттки на 115 В, включающий интегрированное защитное кольцо для защиты от перенапряжений, выполненный в ультракомпактном корпусе для поверхностного монтажа SOD323 (SC-76).

Получите самую лучшую цену
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
продукты

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Комната 2808-2809, Duhuixuan, номер 3018, бульвар Shennan, община Huahang, улица Huaqiang северная, район Futian, Шэньчжэнь
Быстрые связи
Направление компании Путешествие фабрики Проверка качества Новости Карта сайта Политика уединения
Качество Китая хорошее Электронные блоки ICs Поставщик. © авторского права 2023-2026 electroniccomponentsics.com . Все права защищены.