logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

GE2X8MPS06D

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: 650В 16А TO-247-3 SIC ШОТТКИ M

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
19A (DC)
Тип установки:
Через дыру
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 175°C
Пакет:
Трубка
Серия:
SiC Schottky MPSTM
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
ТО-247-3
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
SiC (кремниевый карбид) Schottky
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
650 v
Скорость:
Время восстановления > 500 mA (Io)
Номер базовой продукции:
GE2X8
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
19A (DC)
Тип установки:
Через дыру
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 175°C
Пакет:
Трубка
Серия:
SiC Schottky MPSTM
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
ТО-247-3
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
SiC (кремниевый карбид) Schottky
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
650 v
Скорость:
Время восстановления > 500 mA (Io)
Номер базовой продукции:
GE2X8
GE2X8MPS06D
Диодный массив 1 пара общий катод 650 V 19A (DC) через отверстие TO-247-3
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену