logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N4149TR

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод GEN PURP 100V 500MA DO35

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
25 nA @ 20 V
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1 v @ 10 мам
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
DO-35
Время обратного восстановления (trr):
4 нс
Мфр:
ОНСЕМИ
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
175°C (Макс)
Пакет / чемодан:
DO-204AH, DO-35, осевой
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
500 мА
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N4149
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
25 nA @ 20 V
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1 v @ 10 мам
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
DO-35
Время обратного восстановления (trr):
4 нс
Мфр:
ОНСЕМИ
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
175°C (Макс)
Пакет / чемодан:
DO-204AH, DO-35, осевой
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
500 мА
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N4149
1N4149TR
Диод 100 В 500 мА через отверстие DO-35
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену