Детали продукта
Условия оплаты & доставки
Описание: Диодный модуль 100В 120А 2 башни
Категория: |
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Диодные массивы |
статус продукта: |
Активный |
Средний исправленный ток (Io) (на диод): |
120А (DC) |
Тип установки: |
Подвеска на шасси |
Напряжение - вперед (Vf) (макс.): |
840 мВ @ 60 А |
Пакет: |
КОМПЛЕТ |
Серия: |
- |
Конфигурация диодов: |
1 пара общей катоды |
Пакет изделий поставщика: |
Башня-близнец |
Мфр: |
GeneSiC Полупроводник |
Технологии: |
Шоттки |
Пакет / чемодан: |
Башня-близнец |
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.): |
100 В |
Ток - обратная утечка @ Vr: |
3 мА @ 20 В |
Скорость: |
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io) |
Номер базовой продукции: |
MBR120100 |
Категория: |
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Диодные массивы |
статус продукта: |
Активный |
Средний исправленный ток (Io) (на диод): |
120А (DC) |
Тип установки: |
Подвеска на шасси |
Напряжение - вперед (Vf) (макс.): |
840 мВ @ 60 А |
Пакет: |
КОМПЛЕТ |
Серия: |
- |
Конфигурация диодов: |
1 пара общей катоды |
Пакет изделий поставщика: |
Башня-близнец |
Мфр: |
GeneSiC Полупроводник |
Технологии: |
Шоттки |
Пакет / чемодан: |
Башня-близнец |
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.): |
100 В |
Ток - обратная утечка @ Vr: |
3 мА @ 20 В |
Скорость: |
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io) |
Номер базовой продукции: |
MBR120100 |