logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
продукты
продукты

МСРТ200100AD

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод GEN 1KV 200A 3 башня

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
200А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.1 В @ 200 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 Паровое серийное соединение
Пакет изделий поставщика:
Три башни
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Стандарт
Пакет / чемодан:
Три башни
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1000 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
MSRT200
Ток - обратная утечка @ Vr:
10 μA @ 1000 В
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
200А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.1 В @ 200 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 Паровое серийное соединение
Пакет изделий поставщика:
Три башни
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Стандарт
Пакет / чемодан:
Три башни
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1000 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
MSRT200
Ток - обратная утечка @ Vr:
10 μA @ 1000 В
МСРТ200100AD
Диодный массив 1 парная серия соединения 1000 В 200 А шасси Монтаж три башни
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену