logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MBR40030CT

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диодный модуль 30В 200А 2 башни

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
200А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
650 мВ @ 200 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
Башня-близнец
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Шоттки
Пакет / чемодан:
Башня-близнец
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
30 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
MBR40030
Ток - обратная утечка @ Vr:
5 мА @ 20 В
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
200А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
650 мВ @ 200 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
Башня-близнец
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Шоттки
Пакет / чемодан:
Башня-близнец
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
30 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
MBR40030
Ток - обратная утечка @ Vr:
5 мА @ 20 В
MBR40030CT
Диодный массив 1 пара Общий катод 30 В 200 А Шасси Монтаж Twin Tower
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену