logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MURT20005R

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диодный модуль 50В 100А 3 башни

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Старый
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
100А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.3 В @ 100 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общего анода
Пакет изделий поставщика:
Три башни
Время обратного восстановления (trr):
75 нс
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Стандарт
Пакет / чемодан:
Три башни
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
50 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Ток - обратная утечка @ Vr:
25 μA @ 50 В
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Старый
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
100А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.3 В @ 100 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общего анода
Пакет изделий поставщика:
Три башни
Время обратного восстановления (trr):
75 нс
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Стандарт
Пакет / чемодан:
Три башни
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
50 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Ток - обратная утечка @ Vr:
25 μA @ 50 В
MURT20005R
Диодный массив 1 пара Общий анод 50 В 100 А Шасси Монтаж Третьей башни
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену