Детали продукта
Условия оплаты & доставки
Описание: ДИОДНЫЙ МОДУЛЬ 600В 200А 3-БАШЕННЫЙ
Категория: |
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Диодные массивы |
статус продукта: |
Старый |
Средний исправленный ток (Io) (на диод): |
200А |
Операционная температура - соединение: |
-55°C ~ 150°C |
Напряжение - вперед (Vf) (макс.): |
10,7 В @ 200 А |
Пакет: |
КОМПЛЕТ |
Серия: |
- |
Конфигурация диодов: |
1 пара общего анода |
Пакет изделий поставщика: |
Три башни |
Время обратного восстановления (trr): |
240 ns |
Мфр: |
GeneSiC Полупроводник |
Технологии: |
Стандарт |
Пакет / чемодан: |
Три башни |
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.): |
600 В |
Тип установки: |
Подвеска на шасси |
Скорость: |
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io) |
Ток - обратная утечка @ Vr: |
25 μA @ 50 В |
Категория: |
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Диодные массивы |
статус продукта: |
Старый |
Средний исправленный ток (Io) (на диод): |
200А |
Операционная температура - соединение: |
-55°C ~ 150°C |
Напряжение - вперед (Vf) (макс.): |
10,7 В @ 200 А |
Пакет: |
КОМПЛЕТ |
Серия: |
- |
Конфигурация диодов: |
1 пара общего анода |
Пакет изделий поставщика: |
Три башни |
Время обратного восстановления (trr): |
240 ns |
Мфр: |
GeneSiC Полупроводник |
Технологии: |
Стандарт |
Пакет / чемодан: |
Три башни |
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.): |
600 В |
Тип установки: |
Подвеска на шасси |
Скорость: |
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io) |
Ток - обратная утечка @ Vr: |
25 μA @ 50 В |