logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MURT10020

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диодный массив GP 200V 50A 3TOWER

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Старый
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
50А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.3 В @ 50 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
Три башни
Время обратного восстановления (trr):
75 нс
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Стандарт
Пакет / чемодан:
Три башни
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
200 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Ток - обратная утечка @ Vr:
25 μA @ 50 В
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
статус продукта:
Старый
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
50А
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.3 В @ 50 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
Три башни
Время обратного восстановления (trr):
75 нс
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
Стандарт
Пакет / чемодан:
Три башни
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
200 В
Тип установки:
Подвеска на шасси
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Ток - обратная утечка @ Vr:
25 μA @ 50 В
MURT10020
Диодный массив 1 пара Общий катод 200 В 50 А Шасси Маунт Три Башня
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену