logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N5811US

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
5 μA @ 50 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
875 мВ @ 4 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
B, SQ-MELF
Время обратного восстановления (trr):
30 нс
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
SQ-MELF, B
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
150 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N5811
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
5 μA @ 50 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
875 мВ @ 4 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
B, SQ-MELF
Время обратного восстановления (trr):
30 нс
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
SQ-MELF, B
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
150 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N5811
1N5811US
Диод 150 V 3A поверхностная установка B, SQ-MELF
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену