logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

GD60MPS06H

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод SIL CARB 650V 82A TO247-2

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
10 μA @ 650 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.8 В @ 60 А
Пакет:
Трубка
Серия:
SiC Schottky MPSTM
Пропускная способность @ Vr, F:
1463 пФ @ 1 В, 1 МГц
Пакет изделий поставщика:
TO-247-2
Время обратного восстановления (trr):
0 нс
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
SiC (кремниевый карбид) Schottky
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
TO-247-2
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
650 v
Текущее - среднее скорректированное (Io):
82A
Скорость:
Время восстановления > 500 mA (Io)
Номер базовой продукции:
GD60
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
10 μA @ 650 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.8 В @ 60 А
Пакет:
Трубка
Серия:
SiC Schottky MPSTM
Пропускная способность @ Vr, F:
1463 пФ @ 1 В, 1 МГц
Пакет изделий поставщика:
TO-247-2
Время обратного восстановления (trr):
0 нс
Мфр:
GeneSiC Полупроводник
Технологии:
SiC (кремниевый карбид) Schottky
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
TO-247-2
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
650 v
Текущее - среднее скорректированное (Io):
82A
Скорость:
Время восстановления > 500 mA (Io)
Номер базовой продукции:
GD60
GD60MPS06H
Диод 650 V 82A через отверстие TO-247-2
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену