logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Главная страница
Продукция
Электронные блоки ICs
ST ICS
RENESAS IC
Аналоговые устройства ADI
Полупроводник Texas Instruments национальный
НА полупроводнике Фэйрчайлде
Полупроводники на свободной шкале
Vishay IC
Электронные блоки Infineon
Интегральные схемаы IC
AOS IC
Электронные блоки Atmel
Обломок Altera
Xilinx IC
Микроконтроллер MCU
Микрон ISSI Samsung
Транзистор триода диода
UTC ICS ROHM
Интегральная схемаа микросхемы
Резисторы и конденсаторы
Ролики
О Компании
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Контакты
События
Новости
Случаи
russian
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
цитата
Главная страница
Продукция
Электронные блоки ICs
ST ICS
RENESAS IC
Аналоговые устройства ADI
Полупроводник Texas Instruments национальный
НА полупроводнике Фэйрчайлде
Полупроводники на свободной шкале
Vishay IC
Электронные блоки Infineon
Интегральные схемаы IC
AOS IC
Электронные блоки Atmel
Обломок Altera
Xilinx IC
Микроконтроллер MCU
Микрон ISSI Samsung
Транзистор триода диода
UTC ICS ROHM
Интегральная схемаа микросхемы
Резисторы и конденсаторы
Ролики
О Компании
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Контакты
События
Новости
Случаи
Свяжитесь мы
продукты
продукты
Дом > продукты > Электронные блоки ICs > 1N5408G
Категории

Электронные блоки ICs

(57576)

ST ICS

(683)

RENESAS IC

(105)

Аналоговые устройства ADI

(1140)

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1489)

НА полупроводнике Фэйрчайлде

(911)

Полупроводники на свободной шкале

(495)

Vishay IC

(204)

Электронные блоки Infineon

(161)

Интегральные схемаы IC

(258)

AOS IC

(545)

Электронные блоки Atmel

(130)

Обломок Altera

(153)

Xilinx IC

(170)

Микроконтроллер MCU

(2101)

Микрон ISSI Samsung

(2840)

Транзистор триода диода

(2061)

UTC ICS ROHM

(2643)

Интегральная схемаа микросхемы

(1079)

Резисторы и конденсаторы

(3067)
Контакты
Контакты: Miss. Amy
Телефон: 86-180-3344-1064
Факс:
Контакт теперь
Перешлите нас
1N5408G
1N5408G

1N5408G

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод ген ПУРП 1КВ 3А DO201AD

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Ток - обратная утечка @ Vr:
5 μA @ 1000 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1 В @ 3 А
Пакет:
Раскроенная лента (CT) Лента & коробка (TB)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
25pF @ 4V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
DO-201AD
Мфр:
Тайвань Полупроводник Корпорация
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
DO-201AD, осевое
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1000 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
3А
Скорость:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N5408
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Ток - обратная утечка @ Vr:
5 μA @ 1000 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1 В @ 3 А
Пакет:
Раскроенная лента (CT) Лента & коробка (TB)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
25pF @ 4V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
DO-201AD
Мфр:
Тайвань Полупроводник Корпорация
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
DO-201AD, осевое
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1000 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
3А
Скорость:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N5408
1N5408G
Диод 1000 V 3A через отверстие DO-201AD

Tags:

Электронные блоки OEM STM32L073V8T6,

32 сдержанных электронного блока OEM микроконтроллера,

32 сдержанный ST ICS микроконтроллера

Подобные продукты
Электронные блоки ICs LPC1518JBD64E Huaqiangbei NEXP/Freescale

Электронные блоки ICs LPC1518JBD64E Huaqiangbei NEXP/Freescale

Получите самую лучшую цену
Плита дизайна Pcb TMS320F28335PGFA Texas Instruments Ic национальная

Плита дизайна Pcb TMS320F28335PGFA Texas Instruments Ic национальная

Получите самую лучшую цену
Ядр Singl бита ICs LPC82x 32 электронных блоков MC13892DJVL

Ядр Singl бита ICs LPC82x 32 электронных блоков MC13892DJVL

Получите самую лучшую цену
Электронные блоки ICs национальный Texas Instruments Ic MSP430F149IPMR

Электронные блоки ICs национальный Texas Instruments Ic MSP430F149IPMR

Получите самую лучшую цену
32 сдержанных электронного блока OEM ST ICS STM32L073V8T6 микроконтроллера

32 сдержанных электронного блока OEM ST ICS STM32L073V8T6 микроконтроллера

Получите самую лучшую цену
Электронные блоки ICs ST STM32L431VCT6 подготовляют программирование микроконтроллера Видео

Электронные блоки ICs ST STM32L431VCT6 подготовляют программирование микроконтроллера

Получите самую лучшую цену
TSV6291AICT операционный усилитель IC Видео

TSV6291AICT операционный усилитель IC

Получите самую лучшую цену
IC операционного усилителя TSV6290AICT Видео

IC операционного усилителя TSV6290AICT

Получите самую лучшую цену
TSV620ICT Операционные усилители Видео

TSV620ICT Операционные усилители

Получите самую лучшую цену
LMC6482IMMX Операционные усилители Видео

LMC6482IMMX Операционные усилители

Получите самую лучшую цену
TSV522IST Операционные усилители Видео

TSV522IST Операционные усилители

Получите самую лучшую цену
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
продукты

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Комната 2808-2809, Duhuixuan, номер 3018, бульвар Shennan, община Huahang, улица Huaqiang северная, район Futian, Шэньчжэнь
Быстрые связи
Направление компании Путешествие фабрики Проверка качества Новости Карта сайта Политика уединения
Качество Китая хорошее Электронные блоки ICs Поставщик. © авторского права 2023-2025 electroniccomponentsics.com . Все права защищены.