logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N4154

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод GEN PURP 35V 200MA DO35

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
100 nA @ 25 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1 В @ 30 мА
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
4pF @ 4V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
DO-35
Время обратного восстановления (trr):
2 ns
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандартный
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
DO-204AH, DO-35, осевой
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
35 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
200 мА
Скорость:
Малый сигнал =< 200mA (Io), любая скорость
Номер базовой продукции:
1N4154
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
100 nA @ 25 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1 В @ 30 мА
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
4pF @ 4V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
DO-35
Время обратного восстановления (trr):
2 ns
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандартный
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
DO-204AH, DO-35, осевой
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
35 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
200 мА
Скорость:
Малый сигнал =< 200mA (Io), любая скорость
Номер базовой продукции:
1N4154
1N4154
Диод 35 В 200 мА через отверстие DO-35
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену