logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N5554US/TR

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод ГЕН ПУРП 1КВ 3А D-5B

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
1 μA @ 1000 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.3 В @ 9 А
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
D-5B
Время обратного восстановления (trr):
2 μs
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандартный
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
SQ-MELF, E
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1000 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
Скорость:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N5554
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
1 μA @ 1000 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
1.3 В @ 9 А
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
D-5B
Время обратного восстановления (trr):
2 μs
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандартный
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
SQ-MELF, E
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1000 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
Скорость:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N5554
1N5554US/TR
Диод 1000 V 3A На поверхности установка D-5B
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену