logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N6625US

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: ДИОД GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
1 μA @ 1100 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
10,75 В @ 1 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
A-MELF
Время обратного восстановления (trr):
60 нс
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
SQ-MELF, А
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N6625
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
1 μA @ 1100 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
10,75 В @ 1 А
Пакет:
КОМПЛЕТ
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Пакет изделий поставщика:
A-MELF
Время обратного восстановления (trr):
60 нс
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
SQ-MELF, А
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
1100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
1N6625
1N6625US
Диод 1100 V 1A На поверхности установка A-MELF
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену