logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N6074/TR

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: Диод GEN PURP 100V 850MA

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
1 μA @ 100 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
20,04 В @ 9,4 А
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
А, осевая
Время обратного восстановления (trr):
30 нс
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 155°C
Пакет / чемодан:
А, осевая
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
850 мА
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные
статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
1 μA @ 100 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
20,04 В @ 9,4 А
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
А, осевая
Время обратного восстановления (trr):
30 нс
Мфр:
Технология микрочипов
Технологии:
Стандарт
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 155°C
Пакет / чемодан:
А, осевая
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
850 мА
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
1N6074/TR
Диод 100 В 850 мА через отверстие А, осевой
Подобные продукты
Получите самую лучшую цену