logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
продукты
продукты
Дом > продукты > Транзистор триода диода > BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

Детали продукта

Фирменное наименование: NEXPERIA

Номер модели: BUK9K52-60E,115

Условия оплаты & доставки

Упаковывая детали: Товары будут упакованы в картонную коробку, обернутую клейкой лентой. Чтобы снизить стоимость перево

Поставка способности: 50000 штук/штук в неделю

Получите самую лучшую цену
Выделить:

MOSFET с двумя логическими уровнями N-каналов

,

Технология TrenchMOS MOSFET

,

LFPAK56D автомобильный MOSFET

Модель продукта:
BUK9K52-60E,115
Каталог продукта:
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
Количество:
2 N-канала
напряжение тока Сток-источника (Vdss):
60В
Непрерывное течение стока (id):
16A
На-сопротивление (RDS (дальше)):
49мОм при 10В
Диссипация силы (Pd):
32 Вт
Напряжение тока порога (VGS (th)):
2.1V
Обязанность ворот (Qg):
2,3 нК при 5 В
Входная емкость (Ciss):
544 пФ
Рабочая температура:
от -55°С до +175°С
Тип:
N-канал
Выходная емкость (стоимость):
74 пФ
Модель продукта:
BUK9K52-60E,115
Каталог продукта:
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
Количество:
2 N-канала
напряжение тока Сток-источника (Vdss):
60В
Непрерывное течение стока (id):
16A
На-сопротивление (RDS (дальше)):
49мОм при 10В
Диссипация силы (Pd):
32 Вт
Напряжение тока порога (VGS (th)):
2.1V
Обязанность ворот (Qg):
2,3 нК при 5 В
Входная емкость (Ciss):
544 пФ
Рабочая температура:
от -55°С до +175°С
Тип:
N-канал
Выходная емкость (стоимость):
74 пФ
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 0

Обзор продукта
Двухканальный N-канальный MOSFET логического уровня, использующий технологию TrenchMOS в корпусе LFPAK56D (двойной Power - SO8). Разработан и сертифицирован в соответствии со стандартами AEC Q101, этот продукт подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

 

Особенности продукта

Двойной MOSFET
Соответствует стандарту Q101
Имеет повторяющийся лавинный рейтинг
Рассчитан на температуры до 175°C, подходит для сложных тепловых условий
Истинный логический уровень затвора с рейтингом VGS(th), превышающим 0,5 В при 175°C

Применения

Автомобильные системы 12 В
Управление двигателем, освещением и соленоидами
Управление трансмиссией
Сверхвысокопроизводительное переключение питания

Смотрите подробные изображения - свяжитесь с нами для отправки
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 1
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 2

 

SHENZHEN QINGFENGYUAN TECHNOLOGY CO.,LTD.
Если вы видите это описание продукта, это доказывает, что продукт TPS7333QDR в настоящее время есть в наличии, и вы можете отправить запрос с указанием количества, чтобы узнать конкретную цену. Если вам нужна услуга по комплектации BOM, мы также приветствуем. Просто отправьте нам BOM, и мы сделаем для вас предложение.
Наша цель - сотрудничать с клиентами для долгосрочного бизнеса, чтобы предоставить все необходимые высококачественные реальные и новые продукты и услуги электронных компонентов. Поэтому, пожалуйста, будьте уверены, отправляйте детали и свяжитесь с нами!
Добро пожаловать в нашу компанию - Профиль компании
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 3
100% тестирование перед отправкой
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 4
 
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 5
Наш долгосрочный партнер и реальная оценка
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 6
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 7
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 8
Сертификаты
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 9
Рекомендуемые продукты
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 10
Номера деталей товаров в наличии для справки (Слишком много моделей, чтобы отобразить все, пожалуйста, отправьте информацию, если у вас есть какие-либо требования к модели)
 
 
 
LM2902KAVQPWRG4
SN74ACT08DR
TLC274BIDR
TMP451AQDQFRQ1
CSD87331Q3D
SN74AHC1G32TDBVRQ1
OPA4727AIPWR
TPS4H000BQPWPRQ1
OPA2369AIDCNT
SN74LVC1G38DBVR
TPS72733DSET
TPS73433DRVR
TMP75CIDGKT
SN74AHC1GU04DBVR
TPS62770YFPR
TPS780330220DDCR
TLV70018DSET
SN74LVC1G373DBVR
TS3A24157DGSR
TMP390A2DRLT
TMP75CIDGKT
TPL5110DDCR
TPS2420RSAR
TPS61194PWPR
INA198AIDBVR
SN74LVC1G00DCKR
LSF0108QPWRQ1
TPS7B6833QPWPRQ1
LP5912Q1.8DRVRQ1
TPS22916CLYFPR
TPS3808G01DRVT
TMP390A2DRLR
TLVH431AIDBZT
TLC2252AIDR
PCA9555DBR
TPS65000RTER
TMP112AQDRLRQ1
LF353MX/NOPB
TLV73333PQDBVRQ1
TPS65132SYFFR
TPA6211A1DRBR
TS12A12511DCNR
OPA373AIDBVR
TS3A4742DCNR
TS5A9411DCKT
SN74AVC1T45DCKR
OPA348AQDRQ1
TPS626751YFDR
TPS562208DDCT
LMV331M7X/NOPB
PCM1860QDBTRQ1
TPS560430YQDBVRQ1
CC1200RHBT
SN74LVC3G07DCTR
BQ24232RGTR
LMQ61460AFSQRJRRQ1
TMP103BYFFR
TLV1117LV18DCYT
TPS70950DRVRM3
TPS4H000AQPWPRQ1
TPS82674SIPT
UCC27517DBVT
LM2901QPWRG4Q1
TPS92663QPWPRQ1
TLV62084DSGT
TPS76033DBVR
DRV8210PDSGR
TPS2H000BQPWPRQ1
TLC555QDRG4
TLV1117LV25DCYR
TLV2314IDGKT
LP8867CQPWPRQ1
UCC2808AQDR-1Q1
LMC7211AIM5/NOPB
TPS22958NDGKR
LM51551QDSSRQ1
RC4580IPW
TPS72733DSET
LPV7215MFX
LM46001PWPR
TPS2069DDBVR
LMC7211AIM5X/NOPB
BQ24392QRSERQ1
TMP116AIDRVT
TPS568230RJER
SN74LVC1G10DBVR
LM50BIM3X/NOPB
ISO7740DWR
FAQ - Свяжитесь с нами по любым вопросам
В1: О расценках на IC BOM?
A1:Компания имеет каналы закупок оригинальных производителей интегральных схем в стране и за рубежом, а также профессиональную команду анализа решений для продуктов, чтобы выбирать для клиентов высококачественные и недорогие электронные компоненты.
В2: Расценки на решения PCB и PCBA?
A2:Профессиональная команда компании проанализирует область применения решений PCB и PCBA, предоставленных клиентом, и требования к параметрам каждого электронного компонента, и в конечном итоге предоставит клиентам высококачественные и недорогие решения для расценок.
В3: О разработке чипа до готового продукта?
A3:У нас есть полный набор услуг по проектированию пластин, производству пластин, тестированию пластин, упаковке и интеграции ИС, а также инспекции продукции ИС.
В4: Есть ли у нашей компании требование минимального объема заказа (MOQ)?
A4:Нет, у нас нет требования MOQ, мы можем поддерживать ваши проекты, начиная с прототипов и заканчивая массовым производством.
В5: Как обеспечить неразглашение информации о клиентах?
A5:Мы готовы подписать NDA, действующее в соответствии с местным законодательством клиента, и обещаем хранить данные клиентов на высоком конфиденциальном уровне.
В6: Как гарантировать, что продукт является оригинальным и новым? A6:Наши продукты будут отправлять фотографии и видео инспекций клиентам перед доставкой, и мы отправим товар только тогда, когда клиенты будут удовлетворены. Клиенты также могут использовать стороннее тестирование для проверки подлинности и надежности продуктов.
В7: Как обеспечить безопасную транспортировку товаров для такого небольшого и сложного продукта. A7:На этапе упаковки мы будем упаковывать продукты по одному, чтобы гарантировать отсутствие места для встряхивания каждого продукта, а затем сделаем усиленную упаковку для всего, чтобы вся упаковка была безопасной и транспортабельной.
В8: Если заказ безопасен?
A8:Все заказы будут защищены, как только вы произведете оплату на наш счет.
В9:Что делать, если товар поврежден или вы хотите его вернуть? A9:У нас есть гарантийный период качества 90-180 дней. В течение этого периода повреждение продукта может быть возвращено или отремонтировано бесплатно, вам будет предоставлена гарантия. Если вы купили не тот продукт и хотите его вернуть или обменять, мы также поддерживаем это. Вам нужно будет оплатить только стоимость доставки возвращенного продукта, а мы возьмем на себя остальное, чтобы помочь вам.
В10: Условия оплаты и условия доставки.
A10:Оплата через TT, Western Union или онлайн.
Отправка обычно осуществляется DHL, Fedex, UPS, EMS, почтой Гонконга или вашим агентом напрямую.
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 11
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 12
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. 13
Подобные продукты
Транзистор TO-247 IRFP 2P4M триода диода 2P4M IRFP260N 200V 50A Видео
24AA02/SN - это 2 Кбитная электрически стираемая PROM. Видео