logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Главная страница
Продукция
Электронные блоки ICs
ST ICS
RENESAS IC
Аналоговые устройства ADI
Полупроводник Texas Instruments национальный
НА полупроводнике Фэйрчайлде
Полупроводники на свободной шкале
Vishay IC
Электронные блоки Infineon
Интегральные схемаы IC
AOS IC
Электронные блоки Atmel
Обломок Altera
Xilinx IC
Микроконтроллер MCU
Микрон ISSI Samsung
Транзистор триода диода
UTC ICS ROHM
Интегральная схемаа микросхемы
Резисторы и конденсаторы
Универсальный программатор микросхем
Ролики
О Компании
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
контактные данные
События
Новости
Случаи
russian
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
цитата
Главная страница
Продукция
Электронные блоки ICs
ST ICS
RENESAS IC
Аналоговые устройства ADI
Полупроводник Texas Instruments национальный
НА полупроводнике Фэйрчайлде
Полупроводники на свободной шкале
Vishay IC
Электронные блоки Infineon
Интегральные схемаы IC
AOS IC
Электронные блоки Atmel
Обломок Altera
Xilinx IC
Микроконтроллер MCU
Микрон ISSI Samsung
Транзистор триода диода
UTC ICS ROHM
Интегральная схемаа микросхемы
Резисторы и конденсаторы
Универсальный программатор микросхем
Ролики
О Компании
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
контактные данные
События
Новости
Случаи
Свяжитесь мы
продукты

Транзистор триода диода

Дом > продукты >
Китай Транзистор триода диода
Категории

Электронные блоки ICs

(57592)

ST ICS

(683)

RENESAS IC

(105)

Аналоговые устройства ADI

(1877)

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1489)

НА полупроводнике Фэйрчайлде

(911)

Полупроводники на свободной шкале

(495)

Vishay IC

(204)

Электронные блоки Infineon

(161)

Интегральные схемаы IC

(258)

AOS IC

(545)

Электронные блоки Atmel

(130)

Обломок Altera

(153)

Xilinx IC

(170)

Микроконтроллер MCU

(2101)

Микрон ISSI Samsung

(2840)

Транзистор триода диода

(2118)

UTC ICS ROHM

(2643)

Интегральная схемаа микросхемы

(1079)

Резисторы и конденсаторы

(3067)

Универсальный программатор микросхем

(10)
Контакты
Контакты: Miss. Amy
Телефон: 86-180-3344-1064
Факс:
Контакт теперь
Перешлите нас
Транзистор триода диода

Электронные блоки ICs

(57592)

ST ICS

(683)

RENESAS IC

(105)

Аналоговые устройства ADI

(1877)

Полупроводник Texas Instruments национальный

(1489)

НА полупроводнике Фэйрчайлде

(911)

Полупроводники на свободной шкале

(495)

Vishay IC

(204)

Электронные блоки Infineon

(161)

Интегральные схемаы IC

(258)

AOS IC

(545)

Электронные блоки Atmel

(130)

Обломок Altera

(153)

Xilinx IC

(170)

Микроконтроллер MCU

(2101)

Микрон ISSI Samsung

(2840)

Транзистор триода диода

(2118)

UTC ICS ROHM

(2643)

Интегральная схемаа микросхемы

(1079)

Резисторы и конденсаторы

(3067)

Универсальный программатор микросхем

(10)
PMEG6010CEH,115 плоский барьерный выпрямитель Schottky, с встроенным защитным кольцом для защиты от напряжения, использующий компактное устройство для установки на поверхность (SMD) SOD123F Видео

PMEG6010CEH,115 плоский барьерный выпрямитель Schottky, с встроенным защитным кольцом для защиты от напряжения, использующий компактное устройство для установки на поверхность (SMD) SOD123F

Получите самую лучшую цену
PMEG4010EH, планарный барьерный выпрямитель Schottky напряжением 115 В, с встроенным защитным кольцом для защиты от напряжения, использующий компактное устройство для установки на поверхность (SMD) SOD123F Видео

PMEG4010EH, планарный барьерный выпрямитель Schottky напряжением 115 В, с встроенным защитным кольцом для защиты от напряжения, использующий компактное устройство для установки на поверхность (SMD) SOD123F

Получите самую лучшую цену
PESD3V3U1UB,115 Однонаправленный диод защиты от низкомощного электростатического разряда (ESD) в сверхкомпактной пластиковой упаковке с низким профилем SOD523 (SC-79). Видео

PESD3V3U1UB,115 Однонаправленный диод защиты от низкомощного электростатического разряда (ESD) в сверхкомпактной пластиковой упаковке с низким профилем SOD523 (SC-79).

Получите самую лучшую цену
PESD2CANFD36VT-QR использует ультракомпактный корпус SOD323 (SC-76) для защиты одной линии автомобильной сети Local Interconnect Network (LIN) от электростатического разряда (ESD). Видео

PESD2CANFD36VT-QR использует ультракомпактный корпус SOD323 (SC-76) для защиты одной линии автомобильной сети Local Interconnect Network (LIN) от электростатического разряда (ESD).

Получите самую лучшую цену
PESD1LIN,115 использует сверхкомпактный пакет SOD323 (SC-76) для защиты одной автомобильной магистральной линии локальной взаимосвязанной сети (LIN) от электростатического разряда (ESD). Видео

PESD1LIN,115 использует сверхкомпактный пакет SOD323 (SC-76) для защиты одной автомобильной магистральной линии локальной взаимосвязанной сети (LIN) от электростатического разряда (ESD).

Получите самую лучшую цену
PESD1IVN24-AX использует компактный корпус SOD323 (SC-76) для защиты шин автомобильных бортовых сетей от повреждений, вызванных электростатическим разрядом (ESD) и другими переходными процессами. Видео

PESD1IVN24-AX использует компактный корпус SOD323 (SC-76) для защиты шин автомобильных бортовых сетей от повреждений, вызванных электростатическим разрядом (ESD) и другими переходными процессами.

Получите самую лучшую цену
Транзисторы PDTC114ET,215 NPN, оборудованные резистором (RET) в компактных пластиковых упаковках с поверхностным устройством (SMD) SOT23 Видео

Транзисторы PDTC114ET,215 NPN, оборудованные резистором (RET) в компактных пластиковых упаковках с поверхностным устройством (SMD) SOT23

Получите самую лучшую цену
NX7002BKR N-канальный транзистор с эффектом поля (FET), использующий технологию траншеи MOSFET Видео

NX7002BKR N-канальный транзистор с эффектом поля (FET), использующий технологию траншеи MOSFET

Получите самую лучшую цену
BZX384-B18-QX маломощный стабилитрон, использующий компактный диод для поверхностного монтажа SOD323 (SC-76) Видео

BZX384-B18-QX маломощный стабилитрон, использующий компактный диод для поверхностного монтажа SOD323 (SC-76)

Получите самую лучшую цену
BUK9Y29-40E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. Видео

BUK9Y29-40E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

Получите самую лучшую цену
BUK9Y25-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. Видео

BUK9Y25-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

Получите самую лучшую цену
BUK9Y15-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным уровнем логики, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. Видео

BUK9Y15-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным уровнем логики, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

Получите самую лучшую цену
BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. Видео

BUK9K52-60E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

Получите самую лучшую цену
Двухканальный N-канальный MOSFET BUK9K35-60E,115 с логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в корпусе LFPAK56D (двойной Power - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных применений. Видео

Двухканальный N-канальный MOSFET BUK9K35-60E,115 с логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в корпусе LFPAK56D (двойной Power - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных применений.

Получите самую лучшую цену
BUK9K18-40E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений. Видео

BUK9K18-40E,115 N-канальный MOSFET с двойным логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в пакете LFPAK56D (двойная мощность - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных приложений.

Получите самую лучшую цену
Двухканальный N-канальный MOSFET BUK9K13-60EX с логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в корпусе LFPAK56D (двойной Power - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных применений. Видео

Двухканальный N-канальный MOSFET BUK9K13-60EX с логическим уровнем, использующий технологию TrenchMOS и размещенный в корпусе LFPAK56D (двойной Power - SO8), подходит для высокопроизводительных автомобильных применений.

Получите самую лучшую цену
1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
продукты

Электронные блоки ICs

ST ICS

RENESAS IC

Аналоговые устройства ADI

Полупроводник Texas Instruments национальный

НА полупроводнике Фэйрчайлде

Полупроводники на свободной шкале

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Комната 2808-2809, Duhuixuan, номер 3018, бульвар Shennan, община Huahang, улица Huaqiang северная, район Futian, Шэньчжэнь
Быстрые связи
Направление компании Путешествие фабрики Проверка качества Новости Карта сайта Политика уединения
Качество Китая хорошее Электронные блоки ICs Поставщик. © авторского права 2023-2026 electroniccomponentsics.com . Все права защищены.